[發(fā)明專利]電子封裝結(jié)構(gòu)及其制法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811094927.0 | 申請日: | 2018-09-19 |
| 公開(公告)號: | CN110890338B | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 謝沛蓉;許智勛;蔡芳霖;姜亦震;林長甫 | 申請(專利權(quán))人: | 矽品精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/488 | 分類號: | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺灣臺中*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 制法 | ||
一種電子封裝結(jié)構(gòu)及其制法,于具有線路層的承載件上設(shè)置電子元件,且以包覆層包覆該電子元件,并于該包覆層上形成有外露該線路層的階梯狀開孔,以利于將導(dǎo)電元件卡接于該階梯狀開孔中。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),特別是關(guān)于一種電子封裝結(jié)構(gòu)及其制法。
背景技術(shù)
隨著近年來可攜式電子產(chǎn)品的蓬勃發(fā)展,各類相關(guān)產(chǎn)品的開發(fā)也朝向高密度、高性能以及輕、薄、短、小的趨勢,各態(tài)樣的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)也因而配合推陳出新,以期能符合輕薄短小與高密度的要求。
圖1為悉知半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1的剖視示意圖。如圖1所示,該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1于一基板10的上、下兩側(cè)設(shè)置半導(dǎo)體元件11與被動元件11’,再以封裝膠體14包覆該些半導(dǎo)體元件11與被動元件11’,并使該基板10的接點(I/O)100外露于該封裝膠體(moldingcompound)14的開孔140,之后形成多個焊球13于該些接點100上,以于后續(xù)制程中,該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1透過該焊球13接置如電路板或另一線路板的電子裝置(圖略)。
然而,悉知半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)1中,由于該封裝膠體14的開孔140利用激光燒灼方式貫穿該封裝膠體14,因而無法有效清除該開孔140中的膠屑,致使該焊球13結(jié)合殘留膠屑,造成該焊球13無法有效接觸結(jié)合該接點100、或該焊球13受該膠屑擠壓而變形,因而容易發(fā)生掉球(該焊球13與該接點100分離)的情況,進而造成整體植球良率過低。
此外,利用激光燒灼方式需于同一處以相同強度的激光重復(fù)打射,以形成所需深度的開孔140,但因熱效應(yīng),致使該開孔140的寬度不易控制,因而容易變成上寬下窄狀或錐狀的開孔140,故該焊球13無法有效卡固于該開孔140中,致使發(fā)生掉球(該焊球13與該接點100分離)的情況,進而造成整體植球良率過低導(dǎo)致掉球。
因此,如何克服上述悉知技術(shù)的種種問題,實已成目前亟欲解決的課題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述悉知技術(shù)的缺失,本發(fā)明提供一種電子封裝結(jié)構(gòu)及其制法,以避免發(fā)生掉球的情況。
本發(fā)明的電子封裝結(jié)構(gòu),包括:一承載件,其具有線路層;至少一電子元件,其設(shè)置于該承載件上并電性連接該線路層;一包覆層,其形成于該承載件上以包覆該電子元件,且該包覆層形成有多個階梯狀開孔,以令部分該線路層外露于該多個階梯狀開孔;以及多個導(dǎo)電元件,其設(shè)于該多個階梯狀開孔中以結(jié)合于該線路層上。
本發(fā)明還提供一種電子封裝結(jié)構(gòu)的制法,包括:提供一電子組件,其包含一具有線路層的承載件、至少一接置于該承載件上并電性連接該線路層的電子元件、以及一形成于該承載件上以包覆該電子元件的包覆層;形成多個階梯狀開孔于該包覆層上,以令部分該線路層外露于該多個階梯狀開孔;以及形成多個導(dǎo)電元件于該多個階梯狀開孔中,以令該多個導(dǎo)電元件結(jié)合于該線路層上。
前述的制法中,該階梯狀開孔的制程,包括:形成第一凹部于該包覆層上;以及形成第二凹部于該第一凹部的底面上,其中,該第二凹部的寬度小于第一凹部的寬度,以令該第一凹部與第二凹部作為該階梯狀開孔,且部分該線路層外露于該第二凹部。
前述的制法中,該第一凹部以高強度的激光燒灼該包覆層形成者,且該第二凹部以低強度的激光燒灼該包覆層形成者。
前述的電子封裝結(jié)構(gòu)及其制法中,該承載件具有相對的第一側(cè)與第二側(cè),且于該第一側(cè)與該第二側(cè)上分別設(shè)有該電子元件。
前述的電子封裝結(jié)構(gòu)及其制法中,該導(dǎo)電元件為焊球、銅核心球、被動元件或金屬件。
前述的電子封裝結(jié)構(gòu)及其制法中,該承載件具有相對的第一側(cè)與第二側(cè),且于該第一側(cè)與該第二側(cè)上方分別設(shè)有該包覆層。
前述的電子封裝結(jié)構(gòu)及其制法中,該階梯狀開孔形成于該第一側(cè)與該第二側(cè)的至少其中一者的上方的該包覆層上。
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