[發明專利]一種持續進樣大氣壓接口二級真空離子阱質譜儀

在審

• 申請號: 201811094230.3
• 申請日: 2018-09-19
• 公開（公告）號: CN109256321A
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發明（設計）人: 唐飛;霍新明;王曉浩
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: H01J49/26
• 分類號: H01J49/26;H01J49/06
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 邸更巖

1.一種持續進樣大氣壓接口二級真空離子阱質譜儀,所述的質譜儀包括兩級真空腔，在第一級真空腔(2)內包含持續進樣大氣壓接口(4)和射頻離子導引裝置(5)，第二級真空腔(3)內包括靜電電極(7)、離子阱(8)和離子檢測器(9)，兩級真空腔之間采用開孔電極(6)相連；其特征在于：在離子運動路徑上，所述開孔電極(6)和離子阱(8)之間設置靜電電極(7)，離子依次經過開孔電極(6)和靜電電極(7)后進入離子阱(8)內。

2.按照權利要求1所述的一種持續進樣大氣壓接口二級真空離子阱質譜儀，其特征在于：所述的靜電電極(7)為中間帶孔的透鏡式靜電電極(71)，且開孔電極(6)、透鏡式靜電電極(71)與離子阱(8)位于同一軸線上，所述離子阱(8)遠離開孔電極(6)至少5mm的距離。

3.按照權利要求1所述的一種持續進樣大氣壓接口二級真空離子阱質譜儀，其特征在于：所述的靜電電極(7)為偏轉式靜電電極(72)，且離子阱(8)的軸線與開孔電極(6)的軸線不在同一直線上；通過開口電極(6)的離子在偏轉式靜電電極(72)的直流電壓作用下轉彎進入離子阱(8)內完成分析，而通過開口電極(6)的中性氣體分子進入第二級真空腔(3)后則擴散掉，不直接沖擊離子阱(8)。

4.按照權利要求1-3任一權利要求所述的一種持續進樣大氣壓接口二級真空離子阱質譜儀,其特征在于：所述的第一級真空腔(2)氣壓高于第二級真空腔(3)，且第一級真空腔(2)內氣壓處于10^-3-10³Pa之間，第二級真空腔(3)內氣壓處于10^-4-10²Pa之間。

5.按照權利要求1-3任一權利要求所述的一種持續進樣大氣壓接口二級真空離子阱質譜儀,其特征在于：所述的持續進樣大氣壓接口(4)為取樣錐、金屬管或非金屬毛細管，其持續進樣大氣壓接口孔徑尺寸小于等于1mm。

6.按照權利要求1-3任一權利要求所述的一種持續進樣大氣壓接口二級真空離子阱質譜儀,其特征在于：所述的射頻離子導引裝置(5)為四極桿、八極桿或離子漏斗。

7.按照權利要求1-3任一權利要求所述的一種持續進樣大氣壓接口二級真空離子阱質譜儀,其特征在于：所述的開孔電極(6)為能獨立供電的錐形開口電極(61)或平板開口電極(62)，其中開孔尺寸小于等于1mm。

8.按照權利要求1-3任一權利要求所述的一種持續進樣大氣壓接口二級真空離子阱質譜儀,其特征在于：所述的離子阱(8)為三維離子阱或二維線性離子阱。