[發明專利]用于圖像傳感器的芯片級封裝在審
| 申請號: | 201811092612.2 | 申請日: | 2018-09-19 |
| 公開(公告)號: | CN109768059A | 公開(公告)日: | 2019-05-17 |
| 發明(設計)人: | 錢胤;陸震偉;李津;繆佳君;張明;戴森·戴 | 申請(專利權)人: | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 劉媛媛 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 低折射率材料 圖像傳感器芯片 防護玻璃罩 微透鏡 彩色濾光片 圖像傳感器 芯片級封裝 安置 頂部表面 折射率 接收光 襯底 氣隙 半導體 屏障 覆蓋 支撐 申請 | ||
1.一種用于圖像傳感器的芯片級封裝CSP結構,其包括:
圖像傳感器芯片,其中所述圖像傳感器芯片包括:
半導體襯底,其具有用以接收光的頂部表面;
多個彩色濾光片,其安置在所述頂部表面上方;以及
多個微透鏡,其安置在所述多個彩色濾光片上;
低折射率材料,其安置在所述圖像傳感器芯片上方,其中所述低折射率材料覆蓋所述多個微透鏡,且其中所述低折射率材料的折射率低于所述多個微透鏡的折射率;以及
防護玻璃罩,其直接地安置在所述低折射率材料上,其中在所述防護玻璃罩與所述低折射率材料之間且在所述低折射率材料與所述圖像傳感器芯片之間沒有氣隙。
2.根據權利要求1所述的芯片級封裝結構,其中所述圖像傳感器芯片進一步包括形成于所述半導體襯底上的多個光感測元件。
3.根據權利要求2所述的芯片級封裝結構,其中所述圖像傳感器芯片進一步包括形成于所述半導體襯底上且圍繞所述多個光感測元件的外圍電路區。
4.根據權利要求3所述的芯片級封裝結構,其中所述低折射率材料進一步覆蓋所述外圍電路區。
5.根據權利要求1所述的芯片級封裝結構,其中所述防護玻璃罩完全由所述低折射率材料支撐而在所述防護玻璃罩與所述圖像傳感器芯片之間無任何屏障。
6.根據權利要求1所述的芯片級封裝結構,其中所述低折射率材料包括絕緣材料中的至少一種。
7.根據權利要求6所述的芯片級封裝結構,其中所述低折射率材料的所述折射率在1.2與1.3之間。
8.根據權利要求6所述的芯片級封裝結構,其中所述低折射率材料包括有機材料中的至少一種。
9.根據權利要求6所述的芯片級封裝結構,其中所述低折射率材料包括無機材料中的至少一種。
10.一種形成用于圖像傳感器的芯片級封裝CSP結構的方法,其包括:
提供圖像傳感器芯片,其中所述圖像傳感器芯片包括:
半導體襯底,其具有用以接收光的頂部表面;
多個彩色濾光片,其安置在所述頂部表面上;以及
多個微透鏡,其安置在所述多個彩色濾光片上;
將低折射率材料沉積在所述圖像傳感器芯片上方,其中所述低折射率材料覆蓋所述多個微透鏡,且其中所述低折射率材料的折射率低于所述多個微透鏡的折射率;以及
將防護玻璃罩直接地安置在所述低折射率材料上,其中在所述防護玻璃罩與所述低折射率材料之間,且在所述低折射率材料與所述圖像傳感器芯片之間沒有氣隙。
11.根據權利要求10所述的方法,其中所述圖像傳感器芯片進一步包括形成于所述半導體襯底上的多個光感測元件。
12.根據權利要求10所述的方法,其中所述圖像傳感器芯片進一步包括形成于所述半導體襯底上且圍繞所述多個光感測元件的外圍電路區。
13.根據權利要求10所述的方法,其中所述低折射率材料進一步覆蓋所述外圍電路區。
14.根據權利要求10所述的方法,其中所述防護玻璃罩完全由所述低折射率材料支撐而在所述防護玻璃罩與所述圖像傳感器芯片之間無任何屏障。
15.根據權利要求10所述的方法,其中所述低折射率材料包括絕緣材料中的至少一種。
16.根據權利要求15所述的方法,其中所述低折射率材料包括有機材料中的至少一種。
17.根據權利要求15所述的方法,其中所述低折射率材料包括無機材料中的至少一種。
18.根據權利要求15所述的方法,其中所述低折射率材料的所述折射率在1.2與1.3之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





