[發明專利]用于將氣相反應物分配至反應腔室的設備和相關方法在審
| 申請號: | 201811091186.0 | 申請日: | 2018-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN109545708A | 公開(公告)日: | 2019-03-29 |
| 發明(設計)人: | L·吉迪拉;H·特霍斯特;辻直人;須佐吉雄 | 申請(專利權)人: | ASMIP控股有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 丁曉峰 |
| 地址: | 荷蘭阿*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 第一腔室 氣相反應物 流體連通 料位 第二腔室 進料管線 化學品 配置 流量控制器 反應腔室 加壓氣體 入口開口 分配 氣體出口管線 容納 出口開口 流體通道 載氣流 夾帶 載氣 配備 流動 | ||
1.一種用于將氣相反應物分配至反應腔室的設備,所述設備包括:
被配置成用于以第一料位容納源化學品的第一腔室;
第二腔室,其被配置成用于以第二料位容納源化學品且通過低于所述第一和第二料位的流體通道與所述第一腔室流體連通;
與載氣進料管線流體連通的第一腔室入口開口,所述載氣進料管線被配置成使載氣流至所述第一腔室中,以使得所述源化學品的蒸氣變得夾帶于所述載氣中以產生所述氣相反應物;
第一腔室出口開口,其與氣體出口管線流體連通且被配置成用于從所述第一腔室分配所述氣相反應物;以及
與配備有流量控制器的加壓氣體進料管線流體連通的第二腔室入口開口,所述流量控制器被配置成用于控制所述第二腔室中的加壓氣體的流動以控制所述第一腔室中的所述第一料位。
2.根據權利要求1所述的設備,其中所述載氣進料管線被配置成用于使載氣在高于所述第一料位流至所述第一腔室中。
3.根據權利要求1所述的設備,其進一步包括與氣體出口管線流體連通的第二腔室出口開口,所述氣體出口管線被配置成從所述第二腔室釋放至少一部分所述加壓氣體。
4.根據權利要求1所述的設備,其進一步包括可操作地連接至所述加壓氣體進料管線的所述流量控制器以控制所述加壓氣體的流動的控制單元。
5.根據權利要求4所述的設備,其進一步包括與所述控制單元可操作地連接以測量所述第一腔室中的第一料位的液位傳感器,且所述控制單元經編程以基于測量的第一料位通過所述流量控制器來控制所述加壓氣體向所述第二腔室中的流動,以將所述第一料位調節至基本恒定位準。
6.根據權利要求1所述的設備,其進一步包括安置于所述第二腔室內且接觸所述源化學品的額外液位傳感器。
7.根據權利要求1所述的設備,其進一步包括與蒸氣進料管線流體連通的額外第二腔室入口開口,所述蒸氣進料管線被配置成用于使額外源化學品流至所述第二腔室中。
8.根據權利要求1所述的設備,其中所述第一腔室包括內筒且所述第二腔室包括與所述內筒同心安置且圍繞所述內筒的部分空心的外筒。
9.根據權利要求8所述的設備,其進一步包括安置于所述內筒與所述外筒之間的加熱設備。
10.根據權利要求1所述的設備,其進一步包括安置于所述第一腔室周圍的加熱設備。
11.根據權利要求1所述的設備,其進一步包括安置于所述第二腔室周圍的加熱設備。
12.根據權利要求1所述的設備,其中容納于所述第一腔室和所述第二腔室內的源化學品的總體積大于4升。
13.根據權利要求1所述的設備,其中跨越所述源化學品的總體積的溫度梯度小于1℃。
14.一種用于將氣相反應物分配至反應腔室的方法,所述方法包括:
提供用于以第一料位容納源化學品的第一腔室;
提供第二腔室,其被配置成用于以第二料位容納源化學品,通過低于所述第一和第二料位的流體通道與所述第一腔室流體連通;
使載氣通過第一腔室入口開口流至所述第一腔室中,其中所述載氣流至所述第一腔室中使得所述源化學品的蒸氣變得夾帶于所述載氣中以產生所述氣相反應物;
通過與出口氣體管線流體連通的第一腔室出口開口從所述第一腔室分配所述氣相反應物;以及
通過第二腔室入口開口控制加壓氣體向所述第二腔室中的流動以將所述第一料位調節至基本恒定位準。
15.根據權利要求14所述的方法,其進一步包括通過第二腔室出口開口從所述第二腔室釋放至少一部分所述加壓氣體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





