[發明專利]數據存儲器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201811087711.1
• 申請日: 2018-09-18
• 公開（公告）號: CN109524541B
• 公開（公告）日: 2023-10-10
• 發明（設計）人: 金洪賢;高升必;申賢哲;李吉鎬
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H10N50/10
• 分類號: H10N50/10;H10N50/01;H10B61/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波;屈玉華

1.一種制造數據存儲器件的方法，該方法包括：

提供包括單元區域和外圍電路區域的基板；

在所述基板的所述單元區域和所述外圍電路區域上形成數據存儲層；

在所述數據存儲層的形成在所述外圍電路區域上的部分上選擇性地形成掩模層；

在所述數據存儲層和所述掩模層上形成頂電極層；

圖案化所述頂電極層以在所述單元區域上形成多個頂電極；以及

使用所述多個頂電極作為蝕刻掩模來圖案化所述數據存儲層，以在所述單元區域上形成多個數據存儲部分，

其中，當圖案化所述頂電極層時，所述外圍電路區域上的所述掩模層用作蝕刻停止層。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述基板和所述數據存儲層之間形成層間電介質層，

其中圖案化所述數據存儲層包括蝕刻所述層間電介質層的上部，并且

其中在圖案化所述數據存儲層之后，所述層間電介質層的形成在所述單元區域上的第一部分的頂表面位于與所述層間電介質層的形成在所述外圍電路區域上的第二部分的頂表面的水平不同的水平處。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，當圖案化所述數據存儲層時，所述外圍電路區域上的所述掩模層保護所述掩模層下面的所述層間電介質層。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述基板和所述數據存儲層之間形成底電極層，

其中使用所述多個頂電極作為蝕刻掩模圖案化所述數據存儲層包括：圖案化所述底電極層以形成多個底電極。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述基板的所述單元區域上形成存儲晶體管；

在所述基板的所述外圍電路區域上形成外圍晶體管；以及

形成電連接到所述存儲晶體管的單元接觸插塞，

其中所述數據存儲層形成在所述單元接觸插塞上。

6.根據權利要求1所述的方法，其中圖案化所述數據存儲層包括執行離子束蝕刻工藝。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，當執行所述離子束蝕刻工藝時，所述掩模層從所述外圍電路區域去除。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述數據存儲層包括：

固定層，具有被固定的磁化方向；

自由層，具有可變的磁化方向；以及

隧道勢壘，在所述固定層和所述自由層之間。

9.一種制造數據存儲器件的方法，該方法包括：

提供包括第一區域和第二區域的基板；

在所述基板的所述第一區域和所述第二區域上形成第一層間電介質層；

在所述第一層間電介質層上形成數據存儲層；

在所述數據存儲層的形成于所述第二區域上的部分上選擇性地形成掩模層；

在所述數據存儲層和所述掩模層上形成頂電極層；

圖案化所述頂電極層以在所述第一區域上形成多個頂電極；以及

使用所述多個頂電極作為蝕刻掩模來圖案化所述數據存儲層，以在所述第一區域上形成多個數據存儲部分，

其中，在圖案化所述數據存儲層期間，所述第一層間電介質層的上部被蝕刻，使得所述第一層間電介質層的形成在所述第一區域上的第一部分具有在與所述第一層間電介質層的形成在所述第二區域上的第二部分的頂表面的水平不同的水平處的頂表面。

10.根據權利要求9所述的方法，其中圖案化所述頂電極層包括暴露所述第二區域上的所述掩模層。

11.根據權利要求9所述的方法，其中所述第一層間電介質層具有側壁，所述側壁將所述第一層間電介質層的形成在所述第一區域上的所述第一部分的頂表面連接到所述第一層間電介質層的形成在所述第二區域上的所述第二部分的頂表面，并且

其中所述側壁具有相對于所述基板的頂表面的35度至90度的角度。