[發(fā)明專利]在鍋爐內(nèi)加工半導(dǎo)體晶圓的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811087111.5 | 申請日： | 2018-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN109560013A | 公開（公告）日： | 2019-04-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 羅健倫;涂紀(jì)誠;陳豐裕;蘇元孝;黃奕齊;楊岳庭;趙書漢 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;C23C16/44;C23C16/52 |
| 代理公司： | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 控溫區(qū) 熱模式 鍋爐 半導(dǎo)體晶圓 薄膜 第一端 遞減 加工 遞增 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種在一鍋爐內(nèi)加工多個半導(dǎo)體晶圓的方法，包括：
形成一薄膜在每一所述多個半導(dǎo)體晶圓上；
在形成該薄膜的期間，控制該鍋爐的溫度在一第一熱模式下，其中在該第一熱模式下，該鍋爐中順序排列的一第一端控溫區(qū)、一中間控溫區(qū)、及一第二端控溫區(qū)的溫度依序遞增；
在形成該薄膜之后，控制該鍋爐的溫度在一第二熱模式下，其中在該第二熱模式下，該第一端控溫區(qū)、該中間控溫區(qū)、及該第二端控溫區(qū)的溫度依序遞減。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
