[發明專利]包括電容器結構的半導體器件及制造其的方法

在審

• 申請號: 201811086216.9
• 申請日: 2018-09-18
• 公開（公告）號: CN109524400A
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 徐英植;趙誠一
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波;翟然

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

提供襯底結構；

形成順序地堆疊在所述襯底結構上的下犧牲層、下支撐物層、上犧牲層和上支撐物層；

在所述上支撐物層上形成掩模圖案；

通過使用所述掩模圖案作為蝕刻掩模蝕刻所述上支撐物層而形成上支撐物圖案；

形成穿透所述上支撐物圖案、所述上犧牲層、所述下支撐物層和所述下犧牲層的凹陷區域；以及

去除所述下犧牲層和所述上犧牲層，

其中所述掩模圖案在形成所述上支撐物圖案的工藝期間被去除，以及

其中，當形成所述凹陷區域的工藝結束時，所述上支撐物圖案留下。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

形成沿著所述凹陷區域的內表面延伸的下電極圖案。

3.根據權利要求2所述的方法，其中形成所述下電極圖案包括：

形成沿著所述上支撐物圖案的上表面和所述凹陷區域的所述內表面延伸的下電極層；以及

去除在所述上支撐物圖案的所述上表面上的所述下電極層。

4.根據權利要求2所述的方法，還包括：

在所述下電極圖案上形成上電極層；以及

在所述下電極圖案與所述上電極層之間形成電介質層。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述上支撐物圖案的厚度在形成所述凹陷區域的工藝期間被減小。

6.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述凹陷區域包括使用所述上支撐物圖案作為蝕刻掩模順序地蝕刻所述上犧牲層、所述下支撐物層和所述下犧牲層。

7.根據權利要求6所述的方法，其中形成所述凹陷區域還包括執行第一清潔工藝，所述第一清潔工藝橫向地擴大所述上犧牲層中的所述凹陷區域，以及

其中在蝕刻所述下支撐物層的工藝之前執行所述第一清潔工藝。

8.根據權利要求6所述的方法，其中形成所述凹陷區域還包括執行第二清潔工藝，所述第二清潔工藝橫向地擴大所述下犧牲層中的所述凹陷區域，以及

其中在蝕刻所述下犧牲層的工藝之后執行所述第二清潔工藝。

9.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

提供襯底結構；

形成順序地堆疊在所述襯底結構上的犧牲層和支撐物層；

在所述支撐物層上形成掩模圖案；

通過使用所述掩模圖案作為蝕刻掩模蝕刻所述支撐物層而形成支撐物圖案；

通過使用所述支撐物圖案作為蝕刻掩模蝕刻所述犧牲層而形成犧牲圖案；以及

去除所述犧牲圖案，

其中所述掩模圖案在形成所述支撐物圖案的工藝期間被去除，以及

其中，當形成所述犧牲圖案的工藝結束時，所述支撐物圖案留下。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述犧牲層包括摻雜以雜質的碳層，以及

其中所述雜質包括不同于碳的元素。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述雜質均勻地分布在所述犧牲圖案中，以及

其中在所述犧牲圖案中所述雜質的濃度范圍從20體積％到80體積％。

12.根據權利要求10所述的方法，其中所述雜質包括硼(B)或鎢(W)。

13.根據權利要求10所述的方法，其中所述雜質的濃度在所述犧牲圖案中具有梯度，以及

其中所述雜質的濃度朝向所述襯底結構逐漸變高或者朝向所述襯底結構逐漸變低。

14.根據權利要求9所述的方法，其中所述支撐物圖案包括硅(Si)、硅氧化物、金屬氧化物或硅氮氧化物。