[發明專利]離子束的控制方法

有效

• 申請號: 201811083155.0
• 申請日: 2018-09-17
• 公開（公告）號: CN109192645B
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 汪紅紅;洪紀倫;吳宗祐;林宗賢
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01J37/244;H01J37/15
• 代理公司: 上海立群專利代理事務所(普通合伙) 31291
• 代理人: 楊楷;毛立群

1.一種離子束的控制方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1：從離子源射出的離子束到達加速器,加速器加速經過的離子束；

步驟S2：經加速后的離子束被引向光束阻擋器，控制器控制光束阻擋器的通道相對于離子束處于封閉狀態或者打開狀態；

步驟S3：電流測量裝置測量從光束阻擋器通過的離子束的電流，并將測得的電流轉換成電流信號發送給控制器；

步驟S4：控制器接收上述電流信號，并與不同道工序中預設的電流參數進行比對，向光束阻擋器發出控制指令；

步驟S5：光束阻擋器根據接收到的控制指令發生轉動，調整光束阻擋器的離子束通過量，

步驟S4中，包括如下子步驟：

步驟S41：控制器對接收到的電流信號進行分析，若電流信號在特定數值范圍內持續設定時間，則控制器控制光束阻擋器的轉動。

2.根據權利要求1所述的離子束的控制方法，其特征在于，在步驟S5中，控制器控制光束阻擋器的離子束通過量呈線性變化。

3.根據權利要求2所述的離子束的控制方法，其特征在于，光束阻擋器的通道呈矩形，在步驟S5中，控制器控制光束阻擋器的轉動遵循以下規律：

sin(ωt)＝vt，

其中，ω表示光束阻擋器的轉動角速度，v表示光束阻擋器在離子束的射入垂直面上正投影大小的變化速度，t表示時間。

4.根據權利要求1-3中的任一項所述的離子束的控制方法，其特征在于，在步驟S5中，控制器控制光束阻擋器的通道與離子束的射入方向所呈的角度為0°～arctan(d/h)，其中，d表示光束阻擋器的通道在其轉動方向上的內徑，h表示光束阻擋器的通道深度。

5.根據權利要求1-3中的任一項所述的離子束的控制方法，其特征在于，還包括步驟S6：在每一次的離子植入工藝結束后，控制器控制光束阻擋器的通道相對于離子束處于封閉狀態。

6.根據權利要求1-3中的任一項所述的離子束的控制方法，其特征在于，還包括步驟S51：利用配設在光束阻擋器和電流測量裝置之間的能量磁場，對經過的離子束進行能量篩選。

7.根據權利要求5所述的離子束的控制方法，其特征在于，還包括步驟S51：利用配設在光束阻擋器和電流測量裝置之間的能量磁場，對經過的離子束進行能量篩選。

8.根據權利要求1-3或7中的任一項所述的離子束的控制方法，其特征在于，在步驟S5中，利用馬達驅動光束阻擋器的轉動，馬達與控制器通信連接。