[發(fā)明專利]雙面散熱IGBT模塊

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811082495.1
• 申請日: 2018-09-17
• 公開（公告）號: CN110911395A
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發(fā)明（設計）人: 徐凝華;馮加云;姚衛(wèi)剛;曾雄;李亮星;韓星堯;彭勇殿
• 申請（專利權）人: 株洲中車時代電氣股份有限公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L23/49;H01L23/367
• 代理公司: 北京聿宏知識產(chǎn)權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;陳偉

1.一種雙面散熱IGBT模塊，包括雙面覆銅的上、下襯板、電連接在襯板上的多個半導體功率芯片及端子，其特征在于，所述半導體功率芯片包括第一IGBT芯片及第一FRD芯片，所述第一IGBT芯片和第一FRD芯片分別電連接在端子的上、下兩側(cè)構成堆疊式結構。

2.根據(jù)權利要求1所述的雙面散熱IGBT模塊，其特征在于，在上襯板和下襯板之間設置有第一墊片，所述上襯板和下襯板通過第一墊片互連。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的雙面散熱IGBT模塊，其特征在于，所述端子包括發(fā)射極端子，所述第一FRD芯片陽極電連接在發(fā)射極端子的頂側(cè)，第一FRD芯片陰極電連接在上襯板上，所述第一IGBT芯片的發(fā)射極端電連接在發(fā)射極端子的底側(cè)，第一IGBT芯片的集電極電連接在下襯板上。

4.根據(jù)權利要求3所述的雙面散熱IGBT模塊，其特征在于，所述第一IGBT芯片和第一FRD芯片之間還設置有若干第二FRD芯片和第二IGBT芯片，其中，F(xiàn)RD芯片和IGBT芯片交替設置，第二FRD芯片的陽極電連接在發(fā)射極端子的頂側(cè)，陰極電連接在第一墊片上，第二IGBT芯片的發(fā)射極端電連接在發(fā)射極端子的底側(cè)，第二IGBT芯片的集電極電連接在第一墊片上。

5.根據(jù)權利要求3或4所述的雙面散熱IGBT模塊，其特征在于，所述發(fā)射極端子的熱膨脹系數(shù)與所述半導體功率芯片的熱膨脹系數(shù)相匹配。

6.根據(jù)權利要求1或2所述的雙面散熱IGBT模塊，其特征在于，所述端子包括引出端子，所述第一FRD芯片陽極電連接在引出端子或下襯板上，第一FRD芯片的陰極電連接在上襯板或引出端子上，所述第一IGBT芯片的集電極電連接在下襯板或引出端子上，第一IGBT芯片的發(fā)射極電連接在引出端子或上襯板上。

7.根據(jù)權利要求6所述的雙面散熱IGBT模塊，其特征在于，位于同一襯板上的相鄰第一FRD芯片與第一IGBT芯片之間的覆銅層相互之間不接觸。

8.根據(jù)權利要求7所述的雙面散熱IGBT模塊，其特征在于，所述雙面散熱IGBT模塊為半橋電路或三相全橋電路。

9.根據(jù)權利要求6所述的雙面散熱IGBT模塊，其特征在于，所述上襯板和下襯板之間還設置有第二墊片，上襯板和下襯板分別通過第二墊片與所述引出端子連接。

10.根據(jù)權利要求1或2所述的雙面散熱IGBT模塊，其特征在于，所述上襯板和下襯板分別與外部散熱器相連接。