[發明專利]微機電泵的制造方法

有效

• 申請號: 201811079811.X
• 申請日: 2018-09-17
• 公開（公告）號: CN110902644B
• 公開（公告）日: 2023-01-10
• 發明（設計）人: 莫皓然;余榮侯;張正明;戴賢忠;廖文雄;黃啟峰;韓永隆;陳宣愷
• 申請（專利權）人: 研能科技股份有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;鄭特強

1.一種微機電泵的制造方法，其特征在于，包含以下步驟：

(a)提供一第一基板，將該第一基板薄化至一第一厚度；

(b)于該第一基板形成一第一氧化層，且該第一基板蝕刻出至少一進氣孔，其中該第一基板的該進氣孔由蝕刻形成錐形；

(c)提供一第二基板，將該第二基板薄化至一第二厚度；

(d)于該第二基板形成一第二氧化層，并于該第二基板上蝕刻出一穿孔；

(e)將該第二基板結合至該第一基板，且該第一氧化層位于該第一基板與該第二基板之間，該進氣孔與該穿孔錯位；

(f)提供一第三基板，將該第三基板薄化至一第三厚度，以及于該第三基板蝕刻出多個氣體通道；

(g)于該第三基板設置一壓電組件，步驟(g)包含有以下步驟：(g1)沉積一下電極層；(g2)于該下電極層上沉積一壓電層；(g3)于該壓電層的部分與該下電極層的部分沉積一絕緣層；(g4)于該壓電層未沉積該絕緣層的區域上沉積一上電極層，該上電極層與該壓電層電性連接；

(h)將該第三基板結合至該第二基板，且該第二氧化層位于該第二基板與該第三基板之間，該氣體通道與該穿孔錯位；

其中，該第一基板、該第二基板及該第三基板為通過一長晶制程所形成的一硅芯片。

2.如權利要求1所述的微機電泵的制造方法，其特征在于，步驟(b)更包含于該第一氧化層蝕刻出至少一進氣流道及一匯流腔室，該進氣流道的一端與該匯流腔室相通，該進氣流道的另一端與該進氣孔相通。

3.如權利要求1所述的微機電泵的制造方法，其特征在于，步驟(d)更包含于該第二氧化層蝕刻出一氣體腔室。

4.權利要求1所述的微機電泵的制造方法，其特征在于，步驟(g)系以一物理氣相沉積制程進行沉積。

5.權利要求1所述的微機電泵的制造方法，其特征在于，步驟(g)系以一化學氣相沉積制程進行沉積。

6.權利要求1所述的微機電泵的制造方法，其特征在于，步驟(g2)系以一溶膠凝膠法制程進行沉積。

7.如權利要求1項所述的微機電泵的制造方法，其特征在于，該第一基板、該第二基板及該第三基板皆通過研磨制程分別薄化至該第一厚度、該第二厚度及該第三厚度。

8.如權利要求1所述的微機電泵的制造方法，其特征在于，該第一厚度大于該第三厚度，該第三厚度大于該第二厚度。

9.如權利要求1所述的微機電泵的制造方法，其特征在于，該第一氧化層的厚度大于該第二氧化層的厚度。

10.如權利要求1所述的微機電泵的制造方法，其特征在于，該長晶制程為多晶硅生長控制技術。