[發(fā)明專利]一種存儲系統(tǒng)微板電源補償優(yōu)化設(shè)計方法及系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811071937.2 | 申請日: | 2018-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN109217663A | 公開(公告)日: | 2019-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張兆峰 | 申請(專利權(quán))人: | 鄭州云海信息技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H02M3/156 | 分類號: | H02M3/156 |
| 代理公司: | 濟(jì)南誠智商標(biāo)專利事務(wù)所有限公司 37105 | 代理人: | 黃蓉 |
| 地址: | 450018 河南省鄭州市*** | 國省代碼: | 河南;41 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 存儲系統(tǒng) 電源管理芯片 電源補償 輸出電壓 優(yōu)化設(shè)計 微板 電平信號 電壓補償 低電壓工作模式 穩(wěn)定輸出電壓 系統(tǒng)運行過程 服務(wù)器硬件 環(huán)路穩(wěn)定性 補償線路 電壓穩(wěn)定 反饋處理 反饋線路 后端設(shè)備 邏輯單元 啟動補償 低電 宕機 優(yōu)化 輸出 | ||
1.一種存儲系統(tǒng)微板電源補償優(yōu)化設(shè)計方法,其特征在于,包括以下步驟:
首先電源管理芯片向存儲系統(tǒng)輸出輸出電壓,并通過反饋線路進(jìn)行反饋處理來穩(wěn)定輸出電壓;
然后存儲系統(tǒng)通過邏輯單元經(jīng)VIDSEL設(shè)置電源管理芯片的輸出電壓,同時電源管理芯片對VIDSEL的電平信號進(jìn)行判斷;
若判斷VIDSEL的電平信號均為低電平時,則電源管理芯片啟動補償線路執(zhí)行電壓補償處理來調(diào)整輸出電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的種存儲系統(tǒng)微板電源補償優(yōu)化設(shè)計方法,其特征在于,所述電源管理芯片對VIDSEL的電平信號進(jìn)行判斷,若判斷VIDSEL的電平信號至少一個為高電平時,則電源管理芯片仍通過反饋線路進(jìn)行反饋處理來穩(wěn)定輸出電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種存儲系統(tǒng)微板電源補償優(yōu)化設(shè)計方法,其特征在于,所述補償線路包括電阻R1、R2、R3和電容C1、C2、C3,電阻R1與電容C1串聯(lián)后與電阻R2并聯(lián)形成第一支路,電阻R3與電容C3串聯(lián)后與電容C2并聯(lián)形成第二支路,第一支路與第二支路的一端連接,電源管理芯片的引腳RSO和COMP分別接第一支路、第二支路的另一端,電源管理芯片的引腳FB接入第一支路、第二支路之間節(jié)點。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種存儲系統(tǒng)微板電源補償優(yōu)化設(shè)計方法,其特征在于,所述第一支路中,電阻R1的阻值為10~1000Ω,電阻R2的阻值為1~20KΩ,電容C1的容值為50pF~0.1μF;所述第二支路中,電阻R3的阻值為1~20KΩ,電容C2的容值為50pF~0.1μF,電容C3的容值為10nF~0.5μF。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種存儲系統(tǒng)微板電源補償優(yōu)化設(shè)計方法,其特征在于,所述第一支路中,電阻R1的阻值為210Ω,電阻R2的阻值為6.5kΩ,電容C1的容值為2200pF;所述第二支路中,電阻R3的阻值為5kΩ,電容C2的容值為270pF,電容C3的容值為15nF。
6.一種存儲系統(tǒng)微板電源補償優(yōu)化設(shè)計系統(tǒng),包括電源、電源管理芯片和存儲系統(tǒng),電源、存儲系統(tǒng)分別與電源管理芯片的電壓輸入端、電壓輸出端連接,電源管理芯片與存儲系統(tǒng)之間設(shè)置有反饋線路,電源管理芯片上連接有補償線路,其特征在于,所述電源管理芯片向存儲系統(tǒng)輸出輸出電壓,并通過反饋線路進(jìn)行反饋處理來穩(wěn)定輸出電壓;所述存儲系統(tǒng)通過邏輯單元經(jīng)VIDSEL設(shè)置電源管理芯片的輸出電壓,同時電源管理芯片對VIDSEL的電平信號進(jìn)行判斷,且當(dāng)判斷VIDSEL的電平信號均為低電平時,電源管理芯片啟動補償線路執(zhí)行電壓補償處理來調(diào)整輸出電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種存儲系統(tǒng)微板電源補償優(yōu)化設(shè)計系統(tǒng),其特征在于,所述電源管理芯片對VIDSEL的電平信號進(jìn)行判斷,且當(dāng)判斷VIDSEL的電平信號至少一個為高電平時,電源管理芯片仍通過反饋線路進(jìn)行反饋處理來穩(wěn)定輸出電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種存儲系統(tǒng)微板電源補償優(yōu)化設(shè)計系統(tǒng),其特征在于,所述補償線路包括電阻R1、R2、R3和電容C1、C2、C3,電阻R1與電容C1串聯(lián)后與電阻R2并聯(lián)形成第一支路,電阻R3與電容C3串聯(lián)后與電容C2并聯(lián)形成第二支路,第一支路與第二支路的一端連接,電源管理芯片的引腳RSO和COMP分別接第一支路、第二支路的另一端,電源管理芯片的引腳FB接入第一支路、第二支路之間節(jié)點。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種存儲系統(tǒng)微板電源補償優(yōu)化設(shè)計系統(tǒng),其特征在于,所述第一支路中,電阻R1的阻值為10~1000Ω,電阻R2的阻值為1~20KΩ,電容C1的容值為50pF~0.1μF;所述第二支路中,電阻R3的阻值為1~20KΩ,電容C2的容值為50pF~0.1μF,電容C3的容值為10nF~0.5μF。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種存儲系統(tǒng)微板電源補償優(yōu)化設(shè)計系統(tǒng),其特征在于,所述第一支路中,電阻R1的阻值為210Ω,電阻R2的阻值為6.5kΩ,電容C1的容值為2200pF;所述第二支路中,電阻R3的阻值為5kΩ,電容C2的容值為270pF,電容C3的容值為15nF。
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