[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811067160.2
• 申請(qǐng)日: 2018-09-13
• 公開（公告）號(hào): CN109686653A
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 文禹貹;金睹涓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/027
• 分類號(hào): H01L21/027;H01L27/115;H01L27/11556;H01L27/11582;G03F1/56
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 許偉群;郭放

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

形成層疊結(jié)構(gòu)；

在所述層疊結(jié)構(gòu)上形成光致抗蝕劑層；

使用曝光掩模，以被控制為使得第一間隙被轉(zhuǎn)移而第二間隙不被轉(zhuǎn)移的光量來使所述光致抗蝕劑層曝光，其中所述曝光掩模包括第一光透射孔、第二光透射孔和光阻擋圖案，并且所述曝光掩模被形成為使得所述光阻擋圖案阻擋在彼此相鄰的所述第一光透射孔與所述第二光透射孔之間的所述第一間隙以及在所述第一光透射孔之間和在所述第二光透射孔之間的所述第二間隙；

通過去除所述光致抗蝕劑層的非曝光區(qū)域來形成光致抗蝕劑圖案，所述光致抗蝕劑層的非曝光區(qū)域與所述第一間隙的轉(zhuǎn)移形狀相對(duì)應(yīng)；以及

使用所述光致抗蝕劑圖案，在所述層疊結(jié)構(gòu)中形成與所述轉(zhuǎn)移形狀相對(duì)應(yīng)的波型狹縫。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一間隙比所述第二間隙中的每個(gè)第二間隙大。

3.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

形成層疊結(jié)構(gòu)；

通過使用包括光透射孔的曝光掩模來執(zhí)行第一光刻工藝而在所述層疊結(jié)構(gòu)中形成與所述光透射孔相對(duì)應(yīng)的通道孔；

在所述通道孔的每個(gè)通道孔中形成包括通道層的單元插塞；以及

通過使用所述曝光掩模來執(zhí)行第二光刻工藝而在所述層疊結(jié)構(gòu)中形成波型的第一狹縫，其中所述波型的第一狹縫相對(duì)于通過允許光經(jīng)由所述光透射孔透射而限定的光輻射區(qū)域具有相反的形狀。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第一光刻工藝包括：

在所述層疊結(jié)構(gòu)上形成第一掩模層；

在所述第一掩模層上形成第一光致抗蝕劑層；

通過經(jīng)由所述曝光掩模的所述光透射孔使所述第一光致抗蝕劑層曝光而在所述第一光致抗蝕劑層中形成彼此間隔開的曝光區(qū)域；

通過去除所述曝光區(qū)域來形成第一光致抗蝕劑圖案；

通過使用所述第一光致抗蝕劑圖案作為刻蝕阻擋層的刻蝕工藝來刻蝕所述第一掩模層而形成具有開孔的第一掩模圖案；以及

通過使用所述第一掩模圖案作為刻蝕阻擋層的刻蝕工藝來刻蝕經(jīng)由所述開孔曝光的所述層疊結(jié)構(gòu)而形成所述通道孔。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第二光刻工藝包括：

在所述層疊結(jié)構(gòu)上形成第二掩模層；

在所述第二掩模層上形成第二光致抗蝕劑層；

通過經(jīng)由所述光透射孔使所述第二光致抗蝕劑層曝光而在所述第二光致抗蝕劑層中形成曝光區(qū)域和非曝光區(qū)域，所述曝光區(qū)域與所述光輻射區(qū)域相對(duì)應(yīng)，而所述非曝光區(qū)域與相對(duì)于所述光輻射區(qū)域的所述相反的形狀相對(duì)應(yīng)；

通過去除所述非曝光區(qū)域來形成第二光致抗蝕劑圖案；

通過使用所述第二光致抗蝕劑圖案作為刻蝕阻擋層的刻蝕工藝來刻蝕所述第二掩模層而形成具有與所述非曝光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的溝槽的第二掩模圖案；以及

通過使用所述第二掩模圖案作為刻蝕阻擋層的刻蝕工藝來刻蝕經(jīng)由所述溝槽曝光的所述層疊結(jié)構(gòu)而形成所述第一狹縫。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述光透射孔包括第一光透射孔和與所述第一光透射孔以第一間隙間隔開的第二光透射孔，所述第一間隙介于所述第一光透射孔與所述第二光透射孔之間；

其中，所述第一光透射孔之間的間隙和所述第二光透射孔之間的間隙被形成為比所述第一間隙小，以不被轉(zhuǎn)移到所述曝光區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，在所述第二光刻工藝中輻射的光量被控制為比在所述第一光刻工藝中輻射的光量大，使得所述光透射孔中的一些光透射孔以它們彼此連接的形狀被轉(zhuǎn)移。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第一狹縫穿通所述層疊結(jié)構(gòu)的一部分或完全穿通所述層疊結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括形成完全穿通所述層疊結(jié)構(gòu)的第二狹縫，

其中，在所述第二狹縫之間形成比所述第二狹縫短的所述第一狹縫。