[實用新型]氧化物半導體薄膜探測器及將有源像素應(yīng)用于該探測器的電路結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220565646.0
• 申請日: 2012-10-30
• 公開（公告）號: CN203071076U
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 邱承彬;王曉煜;劉琳
• 申請（專利權(quán)）人: 上海奕瑞光電子科技有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L29/786
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種氧化物半導體薄膜探測器，該薄膜探測器由有源像素以矩陣形式排列，其中，所述有源像素包括形成于基板上的薄膜晶體管和光電二極管、覆蓋于所述薄膜晶體管和光電二極管的第三絕緣層、以及穿過所述第三絕緣層連接于所述光電二極管的電極，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：位于所述基板上的柵極，形成于所述柵極及基板上的第一絕緣層，形成于所述第一絕緣層上并與所述柵極相對應(yīng)的、由銦鎵鋅氧化物薄膜構(gòu)成的有源區(qū)，以及結(jié)合于所述有源區(qū)之上的第二絕緣層、漏極和源極；所述光電二極管包括：形成于所述第一絕緣層上的、作為n極電極的漏極，依次位于所述n極電極上的n摻雜非晶硅層、本征非晶硅層、p摻雜非晶硅層及p極電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物半導體薄膜探測器，其特征在于：所述第一、第二和第三絕緣層的材料為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物半導體薄膜探測器，其特征在于：所述第一、第二和第三金屬層的材料為鉬/鋁/鉬的合金。

4.一種將有源像素應(yīng)用于氧化物半導體薄膜探測器的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電路結(jié)構(gòu)由有源像素以矩陣形式排列，其中，各該有源像素至少包括光電二極管以及銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管；各該有源像素中，所述光電二極管的n極連接于所述薄膜晶體管的源極，所述光電二極管的p極連接于偏置電壓；各行有源像素的薄膜晶體管的柵極相連，并連接于控制單元；各列有源像素的薄膜晶體管的源極相連，并連接于數(shù)據(jù)采集單元。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的將有源像素應(yīng)用于氧化物半導體薄膜探測器的電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：復位薄膜晶體管、源跟隨薄膜晶體管、行選擇薄膜晶體管，其中，所述光電二極管的n極連接于所述復位薄膜晶體管的源極及所述源跟隨薄膜晶體管的柵極；所述復位薄膜晶體管的漏極連接于正極電源，復位薄膜晶體管的柵極連接復位信號；所述源跟隨薄膜晶體管的漏極連接于正極電源，所述源跟隨薄膜晶體管的源極連接于所述行選擇薄膜晶體管的漏極；所述行選擇薄膜晶體管的源極連接于數(shù)據(jù)采集單元，所述行選擇薄膜晶體管的柵極連接于控制單元。