[發明專利]一種沉積爐管

在審

• 申請號: 201811063163.9
• 申請日: 2018-09-12
• 公開（公告）號: CN110894598A
• 公開（公告）日: 2020-03-20
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: C23C16/46
• 分類號: C23C16/46;C23C16/458;C23C16/34
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

1.一種沉積爐管，包括：

反應腔，其一端封閉，另一端具有開口；

加熱器，圍繞反應腔的外周設置；

晶舟，位于反應腔內，用于承載多個批次的晶圓；

底座，支撐晶舟，底座能夠帶動晶舟移入反應腔并將開口封閉，或帶動晶舟移出反應腔；及

輔助加熱部，設置于反應腔的一端，位于晶舟的上方，配置輔助加熱部為在加熱器加熱的同時對位于晶舟頂部的晶圓的中部加熱。

2.如權利要求1所述的沉積爐管，其中，輔助加熱部至少部分的覆蓋反應腔的一端的內表面。

3.如權利要求1所述的沉積爐管，其中，輔助加熱部、晶舟及反應腔同軸設置。

4.如權利要求1所述的沉積爐管，其中，輔助加熱部包括電阻絲。

5.如權利要求4所述的沉積爐管，其中，電阻絲為圓盤形，且輔助加熱部中部的電阻絲的密度大于輔助加熱部外周的電阻絲的密度。

6.如權利要求5所述的沉積爐管，其中，輔助加熱部包括多條環形電阻絲，多條電阻絲與反應腔同軸設置，且靠近軸線的電阻絲的數量大于遠離軸線的電阻絲的數量。

7.如權利要求5所述的沉積爐管，其中，輔助加熱部包括多條電阻絲，多條電阻絲自圓盤形的圓心呈放射狀分布。

8.如權利要求1所述的沉積爐管，其中，沉積爐管配置為在沉積工藝過程中，利用反應腔內通入的反應氣體，在晶圓表面沉積薄膜。

9.如權利要求8所述的沉積爐管，其中，沉積工藝為低壓化學氣相沉積工藝，反應氣體為是甲硅烷、二氯化硅烷、四氯化硅及氨氣中的一種或多種，低壓化學氣相沉積工藝過程中，反應腔內壓力為0.1～100torr，反應腔內溫度為350～800℃。

10.如權利要求8所述的沉積爐管，其中，薄膜厚度為2～150nm，晶圓中心的薄膜厚度和晶圓邊緣的薄膜厚度比例為1:1.025。