[發明專利]一種雙面發電的背接觸異質結太陽能電池的制作方法在審
| 申請號: | 201811062133.6 | 申請日: | 2018-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN110896108A | 公開(公告)日: | 2020-03-20 |
| 發明(設計)人: | 張超華;謝志剛;林振鵬;白述銘;林錦山;王樹林;林朝暉 | 申請(專利權)人: | 福建金石能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/074;H01L31/20 |
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| 地址: | 362000 福建省泉州市*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 雙面 發電 接觸 異質結 太陽能電池 制作方法 | ||
1.一種雙面發電的背接觸異質結太陽能電池的制作方法,其特征在于:所述方法包括如下步驟:
提供制絨清洗形成絨面的N型或P型硅片;
在硅片的背面依次鍍第一本征非晶硅層、N型非晶硅層形成第一半導體層;
在硅片的背面鍍絕緣層;
在硅片的背面局部區域通過濕法腐蝕或印刷蝕刻膏,腐蝕去除相應區域的絕緣層、N型非晶硅層、第一本征非晶硅層,形成正極的引出槽;
通過清洗溶液清洗后,在硅片背面依次鍍第二本征非晶硅層、P型非晶硅層,形成第二半導體層;
在硅片的背面絕緣層局部區域通過濕法腐蝕或印刷蝕刻膏,腐蝕去除相應區域的P型非晶硅層、第二本征非晶硅層、絕緣層,形成負極的引出槽;
通過清洗溶液清洗后,在硅片的背面鍍一層透明導電膜層、一層種子銅層;
在硅片的背面絕緣層局部區域通過濕法腐蝕或印刷蝕刻膏,腐蝕去除相應區域的種子銅層、透明導電膜層,形成絕緣槽;
通過清洗溶液清洗后,在硅片的背面印刷一層耐電鍍油墨形成柵線圖案;
在硅片的背面柵線圖案區域電鍍銅,形成銅柵線電極;
通過去膜蝕刻溶液,去除硅片背面的耐電鍍油墨及種子銅。
2.根據權利要求1所述一種雙面發電的背接觸異質結太陽能電池的制作方法,其特征在于:所述方法還包括包括步驟:在所述硅片的正面依次鍍鈍化膜層和一層透明減反層;所述硅片正面的鈍化膜層為非晶硅或非晶硅和摻雜型非晶硅的組合,透明減反層為氮化硅、氮氧化硅、氟化鎂、ITO、氧化硅、氧化鋁、氧化鋅中的至少一種,厚度為40-200nm,所述透明減反層通過PECVD或PVD沉積形成。
3.根據權利要求1所述一種雙面發電的背接觸異質結太陽能電池的制作方法,其特征在于:所述第一本征非晶硅層、第二本征非晶硅層、N型非晶硅層、P型非晶硅層厚度為1-15nm,所述非晶硅膜層通過PECVD或Hot-wire方式沉積形成。
4.根據權利要求1所述一種雙面發電的背接觸異質結太陽能電池的制作方法,其特征在于:所述絕緣層為氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、非晶硅中的至少一種,厚度為40-200nm,所述絕緣層通過PECVD或PVD沉積形成。
5.根據權利要求1所述一種雙面發電的背接觸異質結太陽能電池的制作方法,其特征在于:所述透明導電膜層為金屬氧化物,為氧化銦錫薄膜、摻鋁氧化鋅、摻鎢氧化銦薄膜中的一種,厚度為10-200nm,所述透明導電薄膜通過PVD沉積。
6.根據權利要求1所述一種雙面發電的背接觸異質結太陽能電池的制作方法,其特征在于:所述濕法腐蝕方式為印刷保護油墨后通過腐蝕溶液去除非晶硅及絕緣層,所述腐蝕溶液為含HF的溶液、含鹽酸的溶液、堿液中的至少一種,所述保護油墨為耐酸不耐堿油墨,油墨印刷后固化溫度為100-200℃,固化時間為1-20M;所述印刷蝕刻膏方式的蝕刻膏可以腐蝕硅系薄膜、金屬及透明導電薄膜,反應溫度為10-220℃,反應時間為3-30分鐘,所述蝕刻膏通過調整反應溫度或反應時間來控制蝕刻的深度。
7.根據權利要求1所述一種雙面發電的背接觸異質結太陽能電池的制作方法,其特征在于:所述清洗溶液包含堿液、去離子水、含HF的溶液中的至少一種,清洗方式為浸泡、溢流、噴淋、超聲中的一種。
8.根據權利要求1所述一種雙面發電的背接觸異質結太陽能電池的制作方法,其特征在于:所述負極引出槽寬度為0.1-0.5mm,所述正極引出槽寬度為0.2-1mm,所述絕緣槽寬度為0.02-0.2mm,所述正極引出槽寬度大于負極引出槽寬度。
9.一種權利要求1所述雙面發電的背接觸異質結太陽能電池的制作方法,其特征在于:所述耐電鍍油墨印刷寬度為0.2-0.8mm,印刷厚度為0.005-0.05mm,印刷面積大于電池面積的40%。
10.一種權利要求1所述雙面發電的背接觸異質結太陽能電池的制作方法,其特征在于:所述銅柵線包含銅柵線層和銅柵線保護層,所述銅柵線保護層為錫層或銀層,所述銅柵線寬度為50-400um,厚度為5-50um。
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