[發(fā)明專利]一種降低二硫化鉬基催化析氫電極電荷轉移阻抗的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811060352.0 | 申請日： | 2018-09-12 |
| 公開（公告）號： | CN109112565B | 公開（公告）日： | 2020-05-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 馮哲圣;李培真;陳金菊;王焱;陳龍 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | C25B1/04 | 分類號： | C25B1/04;C25B11/06 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230 | 代理人： | 蔣秀清;李春芳 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 降低 二硫化鉬 催化 電極 電荷 轉移 阻抗 方法 | ||
1.一種降低二硫化鉬基催化析氫電極電荷轉移阻抗的方法，其特征在于：在采用液相超聲剝離法制備二硫化鉬納米薄片的過程中，向剝離溶劑中添加聚乙烯吡咯烷酮和還原氧化石墨烯，得到二硫化鉬納米薄片、聚乙烯吡咯烷酮和還原氧化石墨烯的混合分散液；
向所述剝離溶劑中添加二硫化鉬、聚乙烯吡咯烷酮和還原氧化石墨烯的質量比為1：0.15～0.25：0.05～0.15；
所述制備二硫化鉬納米薄片、聚乙烯吡咯烷酮和還原氧化石墨烯的混合分散液的過程具體包括如下步驟：
[1]配制剝離溶劑；
[2]將二硫化鉬、聚乙烯吡咯烷酮和還原氧化石墨烯按比例摻入步驟[1]所配制的剝離溶劑中，得到混合初始懸浮液；
[3]通過液相超聲方法對步驟[2]所述混合初始懸浮液進行處理，使二硫化鉬得到有效剝離，得到包含有二硫化鉬納米薄片、聚乙烯吡咯烷酮和還原氧化石墨烯的混合懸浮液；
[4]對步驟[3]得到的混合懸浮液進行離心分離，取上清液即為包含有二硫化鉬納米薄片、聚乙烯吡咯烷酮和還原氧化石墨烯的混合分散液。
2.按照權利要求1所述的一種降低二硫化鉬基催化析氫電極電荷轉移阻抗的方法，其特征在于，利用所述二硫化鉬納米薄片、聚乙烯吡咯烷酮和還原氧化石墨烯的混合分散液制備覆蓋在電極基底上的催化活性功能層，所述電極基底為銅薄膜電極。
3.按照權利要求2所述的一種降低二硫化鉬基催化析氫電極電荷轉移阻抗的方法，其特征在于，所述銅薄膜電極的制備方法包括如下步驟：
[1]將剛性或撓性載體材料浸泡于表面改性劑水溶液中進行表面處理；
[2]將用于催化銅化學沉積的催化劑墨水通過浸泡或印刷方法轉移至經過步驟[1]處理后的剛性或撓性載體表面，進行化學沉積前處理；
[3]將經過步驟[2]化學沉積前處理后的剛性或撓性載體浸泡于含有銅離子的沉積溶液中進行化學催化沉積，得到銅薄膜電極。
4.按照權利要求2所述的一種降低二硫化鉬基催化析氫電極電荷轉移阻抗的方法，其特征在于，利用所述二硫化鉬納米薄片、聚乙烯吡咯烷酮和還原氧化石墨烯的混合分散液制備覆蓋在電極基底上的催化活性功能層的方法為：滴涂、噴涂或印刷。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于電子科技大學，未經電子科技大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811060352.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
