[發明專利]半導體器件的制備方法

有效

• 申請號: 201811057277.2
• 申請日: 2018-09-11
• 公開（公告）號: CN110890376B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供待刻蝕目標；

在所述待刻蝕目標的表面形成第一掩膜層；

在所述第一掩膜層的表面形成第一抗反射層；

在所述第一抗反射層的表面形成第二掩膜層；

在包含氮氣的反應氣體中，將第二抗反射層形成在所述第二掩膜層的表面；

在所述第二抗反射層的表面形成光刻膠掩膜圖案；

使用所述光刻膠掩膜圖案作為蝕刻掩膜，蝕刻所述第二抗反射層及所述第二掩膜層，以在所述第一抗反射層上形成第一中間掩膜圖案，所述第一中間掩膜圖案包括第二掩膜子層及第二抗反射子層；

在所述第一抗反射層及所述第一中間掩膜圖案上形成介質層，所述介質層包括形成在所述第一中間掩膜圖案的側部的側墻；

將所述第一抗反射層上除所述側墻之外的其他部分蝕刻，以形成第二中間掩膜圖案；

使用所述第二中間掩膜圖案作為蝕刻掩膜，蝕刻所述第一抗反射層及所述第一掩膜層，以在所述待刻蝕目標上形成目標圖案；

所述反應氣體還包括甲硅烷氣體、一氧化二氮氣體及氦氣；

在將所述第二抗反射層形成在所述第二掩膜層的表面的過程中，所述甲硅烷氣體的流量為200sccm～600sccm，所述一氧化二氮氣體的流量為300sccm～1000sccm，所述氦氣的流量為8000sccm～12000sccm，所述氮氣的流量為2000sccm～5000sccm；

在所述第二抗反射層形成在所述第二掩膜層的表面時，所述氮氣的加入用以減少所述第二抗反射層中N-H鍵的產生。

2.根據權利要求1所述半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第二抗反射層包括氮氧化硅。

3.根據權利要求2所述半導體器件的制備方法，其特征在于，在將所述第二抗反射層形成在所述第二掩膜層的表面的過程中，所述第二抗反射層的沉積的速率為0.2nm/sec～1.0nm/sec，溫度為250℃～500℃，壓力為3tor～10tor，射頻功率為100W～300W。

4.根據權利要求1所述半導體器件的制備方法，其特征在于，所述反應氣體還包括一氧化氮氣體、二氧化氮、四氧化二氮中的一種或多種。

5.根據權利要求1所述半導體器件的制備方法，其特征在于，所述待刻蝕目標包括二氧化硅、多晶硅、氮化硅中的一種或者多種。

6.根據權利要求1所述半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一掩膜層和所述第二掩膜層均包括非晶碳，所述第一抗反射層包括氮氧化硅。

7.根據權利要求1所述半導體器件的制備方法，其特征在于，所述在所述第二抗反射層的表面形成光刻膠掩膜圖案，包括：

在所述第二抗反射層的表面形成光刻膠；

采用具有圖案的光掩膜板對所述光刻膠進行光刻工藝。

8.根據權利要求1所述半導體器件的制備方法，其特征在于，所述將所述第一抗反射層上除所述側墻之外的其他部分蝕刻，以形成第二中間掩膜圖案，包括：

對所述介質層執行各向異性蝕刻工藝，以蝕刻除所述第一中間掩膜圖案及所述側墻之外的其他部分；

蝕刻所述第一中間掩膜圖案，以形成所述第二中間掩膜圖案。