[發(fā)明專利]封裝體檢測方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811055533.4 | 申請日: | 2018-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN109192675B | 公開(公告)日: | 2020-07-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林萬建;劉秋艷;張順勇;梁山安 | 申請(專利權(quán))人: | 長江存儲科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 董琳;陳麗麗 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢市洪山區(qū)東*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 體檢 方法 | ||
1.一種封裝體檢測方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供一封裝體,所述封裝體包括位于封裝基板相對兩側(cè)的焊球和金線;
將所述封裝體放置于一承載部上,所述承載部具有用于與所述焊球接觸的承載面、與所述承載面相對的引出面、以及貫穿所述承載部的通孔;
采用一引出部自所述引出面穿過所述通孔與所述承載面上的所述焊球電連接,將所述焊球的觸點引出至所述封裝體外部,形成外部焊球觸點;
電連接所述外部焊球觸點與所述金線,檢測所述封裝體內(nèi)所述金線與所述焊球的電連接性能。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝體檢測方法,其特征在于,所述封裝體為BGA封裝體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝體檢測方法,其特征在于,還包括如下步驟:
在所述承載部上移動所述封裝體,對齊所述焊球與所述通孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝體檢測方法,其特征在于,所述承載部包括一透明絕緣承載板,所述通孔貫穿所述透明絕緣承載板。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝體檢測方法,其特征在于,所述引出部包括導(dǎo)電針、引出線和接觸墊;將所述焊球的觸點引出至所述封裝體外部的具體步驟包括:
所述導(dǎo)電針的針尖部穿過所述通孔,與所述焊球電連接;
所述引出線的一端與所述導(dǎo)電針的端部電連接、另一端與所述接觸墊電連接,將所述焊球的觸點引出至所述封裝體外部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝體檢測方法,其特征在于,所述封裝體包括位于所述封裝基板表面的芯片以及用于包覆所述芯片與所述金線的塑封層;
電連接所述外部焊球觸點與所述金線之前還包括如下步驟:
研磨所述塑封層,暴露所述金線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝體檢測方法,其特征在于,電連接所述外部焊球觸點與所述金線,檢測所述封裝體內(nèi)所述金線與所述焊球的電連接性能的具體步驟包括:
提供一萬用表;
電連接所述萬用表的一端與暴露的所述金線、并同時電連接所述萬用表的另一端與所述接觸墊,檢測位于所述封裝體內(nèi)的所述金線與所述焊球之間的電阻。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝體檢測方法,其特征在于,還包括如下步驟:
提供第一探針與第二探針;
電連接所述第一探針的一端與暴露的所述金線、并電連接所述萬用表與所述第一探針的另一端;
電連接所述第二探針的一端與所述接觸墊、并電連接所述萬用表與所述第二探針的另一端。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于長江存儲科技有限責(zé)任公司,未經(jīng)長江存儲科技有限責(zé)任公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811055533.4/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種測量注入層光刻對準(zhǔn)偏差的方法
- 下一篇:界面缺陷的表征方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





