[發(fā)明專利]超聲波發(fā)生裝置及其組裝方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811050861.5 | 申請日: | 2018-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN109290161B | 公開(公告)日: | 2020-05-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馮棟 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州涵軒信息科技有限公司 |
| 主分類號: | B06B1/06 | 分類號: | B06B1/06 |
| 代理公司: | 蘇州市中南偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 郭磊;張紅衛(wèi) |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市吳中經(jīng)濟(jì)開發(fā)*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 超聲波 發(fā)生 裝置 及其 組裝 方法 | ||
1.一種超聲波發(fā)生裝置,其特征在于,包括:
圓片狀超聲波芯片;
圓片狀密封盒,所述圓片狀密封盒包括圓環(huán)狀超聲波芯片容納裝置、上連接裝置和下連接裝置;
所述圓環(huán)狀超聲波芯片容納裝置包括圓環(huán)狀主體;所述圓環(huán)狀主體的內(nèi)側(cè)壁設(shè)有六個均勻環(huán)狀分布的盲孔;所述盲孔內(nèi)設(shè)有超聲波芯片卡持裝置;所述超聲波芯片卡持裝置包括卡持彈簧、彈簧限位套和超聲波芯片限位卡扣;所述超聲波芯片限位卡扣包括卡扣主體;所述卡扣主體的內(nèi)側(cè)設(shè)有弧形卡槽;所述圓片狀超聲波芯片被所述弧形卡槽包圍且夾持;所述卡扣主體的上端和下端都設(shè)有傾斜的超聲波芯片卡入過渡塊;所述卡持彈簧的一端與所述盲孔的底壁固定連接,另一端與所述卡扣主體的外側(cè)固定連接;所述彈簧限位套套住所述卡持彈簧;所述彈簧限位套的一端與所述卡扣主體的外側(cè)固定連接,而且當(dāng)所述卡持彈簧處于自然狀態(tài)時,所述彈簧限位套的另一端深入所述盲孔且不與所述盲孔的底壁接觸;所述超聲波芯片被所述弧形卡槽包圍且夾持;
所述上連接裝置包括固定在所述圓環(huán)狀主體的上端面的上內(nèi)環(huán)狀凸緣和固定在所述圓環(huán)狀主體的上端面的上外環(huán)狀凸緣;所述上內(nèi)環(huán)狀凸緣與所述上外環(huán)狀凸緣兩者形成上裝配凹槽;所述圓環(huán)狀主體的上端面在對應(yīng)所述上裝配凹槽的位置開設(shè)有4個均勻環(huán)狀分布的上螺紋孔;
所述下連接裝置包括固定在所述圓環(huán)狀主體的下端面的下內(nèi)環(huán)狀凸緣和固定在所述圓環(huán)狀主體的下端面的下外環(huán)狀凸緣;所述下內(nèi)環(huán)狀凸緣與所述下外環(huán)狀凸緣兩者形成下裝配凹槽;所述圓環(huán)狀主體的下端面在對應(yīng)所述下裝配凹槽的位置開設(shè)有4個均勻環(huán)狀分布的下螺紋孔;
圓片狀上封蓋,所述圓片狀上封蓋包括上封蓋主體與所述上封蓋主體固定連接的上環(huán)狀裝配凸緣;所述上封蓋主體的中心設(shè)有上通孔;所述上封蓋主體上通孔的周圍設(shè)有若干上傳聲通孔;所述上環(huán)狀裝配凸緣上設(shè)有4個穿透所述上封蓋主體且均勻環(huán)狀分布的上裝配螺紋孔;所述上裝配螺紋孔內(nèi)設(shè)有上裝配螺栓;所述上環(huán)狀裝配凸緣插入所述上裝配凹槽;所述上裝配螺栓的螺桿遠(yuǎn)離螺栓頭的一端與所述上螺紋孔螺紋連接;所述上裝配螺栓的螺桿露出所述上環(huán)狀裝配凸緣的部分套有上彈簧;所述上彈簧的兩端分別接觸所述上環(huán)狀裝配凸緣和所述圓環(huán)狀主體;
圓片狀下封蓋,所述圓片狀下封蓋包括下封蓋主體與所述下封蓋主體固定連接的下環(huán)狀裝配凸緣;所述下封蓋主體的中心設(shè)有下通孔;所述下封蓋主體下通孔的周圍設(shè)有若干下傳聲通孔;所述下環(huán)狀裝配凸緣下設(shè)有4個穿透所述下封蓋主體且均勻環(huán)狀的下裝配螺紋孔;所述下裝配螺紋孔內(nèi)設(shè)有下裝配螺栓;所述下環(huán)狀裝配凸緣插入所述下裝配凹槽;所述下裝配螺栓的螺桿遠(yuǎn)離螺栓頭的一端與所述下螺紋孔螺紋連接;所述下裝配螺栓的螺桿露出所述下環(huán)狀裝配凸緣的部分套有下彈簧;所述下彈簧的兩端分別接觸所述下環(huán)狀裝配凸緣和所述圓環(huán)狀主體;
上導(dǎo)電銅柱,所述上導(dǎo)電銅柱的一端固定且穿設(shè)在所述上通孔內(nèi)且該端的端面與所述上封蓋主體的上端面齊平,另一端抵觸超聲波芯片的上端面;
下導(dǎo)電銅柱,所述下導(dǎo)電銅柱的一端固定且穿設(shè)在所述下通孔內(nèi)且該端的端面與所述下封蓋主體的下端面齊平,另一端抵觸超聲波芯片的下端面;
上引腳,所述上引腳與所述上導(dǎo)電銅柱遠(yuǎn)離所述超聲波芯片的一端的端面電連接;以及
下引腳,所述下引腳與所述下導(dǎo)電銅柱遠(yuǎn)離所述超聲波芯片的一端的端面電連接。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于蘇州涵軒信息科技有限公司,未經(jīng)蘇州涵軒信息科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811050861.5/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 離子發(fā)生器件、離子發(fā)生單元和離子發(fā)生裝置
- 離子發(fā)生元件、離子發(fā)生單元及離子發(fā)生裝置
- 過熱蒸汽發(fā)生容器、過熱蒸汽發(fā)生裝置以及發(fā)生方法
- 吸收-發(fā)生-再發(fā)生體系與分段發(fā)生吸收式機(jī)組
- 泡沫發(fā)生裝置和泡沫發(fā)生方法
- 離子發(fā)生元件、離子發(fā)生單元及離子發(fā)生裝置
- 臭氧發(fā)生管內(nèi)電極體、臭氧發(fā)生管及臭氧發(fā)生器
- 信號發(fā)生裝置及信號發(fā)生方法
- 微米·納米氣泡發(fā)生方法,發(fā)生噴嘴,與發(fā)生裝置
- 壓力發(fā)生裝置及發(fā)生方法





