[發明專利]一種LED結構與LED結構制作方法在審
| 申請號： | 201811050206.X | 申請日： | 2018-09-10 |
| 公開（公告）號： | CN109148655A | 公開（公告）日： | 2019-01-04 |
| 發明（設計）人： | 王君君;陳志濤;劉寧煬;何晨光;王巧 | 申請（專利權）人： | 廣東省半導體產業技術研究院 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 梁香美 |
| 地址： | 510000 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 預應力層 量子阱層 模板層 制作 光提取效率 調控 | ||
1.一種LED結構，其特征在于，所述LED結構包括模板層、預應力層、N型氮化物層、量子阱層以及P型氮化物層，所述模板層、所述預應力層、所述N型氮化物層、所述量子阱層以及所述P型氮化物層逐層面連接，所述預應力層用于調控所述LED結構的應力。
2.如權利要求1所述的LED結構，其特征在于，所述預應力層包括周期性排布的AlxGa1-xN層與AlyGa1-yN層，其中，x與y的值均大于或等于0.4。
3.如權利要求2所述的LED結構，其特征在于，所述預應力層包括多個AlxGa1-xN層與AlyGa1-yN層，所述AlxGa1-xN層與AlyGa1-yN層交替排布，且x與y的值逐層增大，或逐層減小，或先增大后減小或先減小后增大。
4.如權利要求3所述的LED結構，其特征在于，所述x與y的值成等差數列逐層增大，或逐層減小，或先增大后減小或先減小后增大。
5.如權利要求2所述的LED結構，其特征在于，所述AlxGa1-xN層與所述AlyGa1-yN層的厚度均小于100nm。
6.如權利要求2所述的LED結構，其特征在于，x與y的值相等或不相等。
7.如權利要求1所述的LED結構，其特征在于，所述預應力層的厚度小于100nm。
8.如權利要求1所述的LED結構，其特征在于，所述模板層包括襯底與緩沖層，所述襯底與所述緩沖層面連接，所述緩沖層與所述預應力層面連接。
9.一種LED結構制作方法，其特征在于，所述LED結構方法包括：
在模板層上外延生長預應力層；
在所述預應力層上外延生長N型氮化物層；
在所述N型氮化物層上外延生長量子阱層；
在所述量子阱層上生長P型氮化物層。
10.如權利要求9所述的LED結構制作方法，其特征在于，預應力層包括周期性排布的AlxGa1-xN層與AlyGa1-yN層，所述在模板層上外延生長預應力層的步驟包括：
在襯底上外延生長AlN緩沖層，其中，所述AlN緩沖層的是生長溫度包括700℃；
依據TEGa、NH3以及TMAl分別作為鎵源、氮源、鋁源，并利用氫氣作為載氣，通過改變TMAl與NH3的流量交替生長出周期性排布的AlxGa1-xN層與AlyGa1-yN層，其中，生長溫度為1100℃。
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