[發(fā)明專利]一種四元硫?qū)倩衔顱a8

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811045661.0
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN109293935B
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黎艷艷;林海峰;陳玲;吳立明
• 申請（專利權(quán)）人: 青島科技大學(xué)
• 主分類號: C08G83/00
• 分類號: C08G83/00
• 代理公司: 北京知元同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11535
• 代理人: 劉元霞;謝怡婷

1.一種四元硫?qū)倩衔铮浞肿邮綖锽a₈Zn₄Ga₂S₁₅，所述四元硫?qū)倩衔顱a₈Zn₄Ga₂S₁₅為晶體，所述四元硫?qū)倩衔顱a₈Zn₄Ga₂S₁₅晶體的晶體結(jié)構(gòu)屬于單斜晶系，空間群為P2(1)/n，所述四元硫?qū)倩衔顱a₈Zn₄Ga₂S₁₅晶體的晶胞參數(shù)分別為a = 13.328(2)，b = 9.0097(4)，c= 13.332(2)，α= γ= 90°，β = 109.520(5)°，V = 1508.8(2)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四元硫?qū)倩衔铮涮卣髟谟冢鏊脑驅(qū)倩衔顱a₈Zn₄Ga₂S₁₅為純相。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的四元硫?qū)倩衔铮涮卣髟谟冢鏊脑驅(qū)倩衔顱a₈Zn₄Ga₂S₁₅為具有熒光性能的無機固體功能材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的四元硫?qū)倩衔铮涮卣髟谟冢鏊脑驅(qū)倩衔镌谧贤夤庹丈湎履軌虬l(fā)射紅光。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的四元硫?qū)倩衔铮涮卣髟谟冢鏊脑驅(qū)倩衔镌诓ㄩL為340 nm的激發(fā)光照射下，能夠發(fā)射出波長為600 nm的光。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的四元硫?qū)倩衔铮涮卣髟谟冢鏊脑驅(qū)倩衔锏哪芟稙?.7 eV。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的四元硫?qū)倩衔铮涮卣髟谟冢鏊脑驅(qū)倩衔锞哂幸痪S鏈狀結(jié)構(gòu)。

8.權(quán)利要求1-7任一項所述的四元硫?qū)倩衔锏闹苽浞椒ǎㄒ韵虏襟E：將原料硫化鋇、硫化鋅和硫化鎵的混合物置于真空條件下，通過高溫固相法制備得到所述四元硫?qū)倩衔铩?/p>

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述方法具體包括以下步驟：將原料硫化鋇、硫化鋅和硫化鎵的混合物置于真空條件下，經(jīng)過20-80 h升溫至800-1200 ℃，保溫不少于30 h，然后經(jīng)過30-150 h降至200-500 ℃，得到所述四元硫?qū)倩衔铩?/p>

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述方法具體包括以下步驟：將原料硫化鋇、硫化鋅和硫化鎵的混合物置于真空條件下，經(jīng)過40-60 h升溫至800-1000 ℃，保溫不少于90 h，然后經(jīng)過70-135 h降至250-350 ℃，得到所述四元硫?qū)倩衔铩?/p>

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述方法具體包括以下步驟：將原料硫化鋇、硫化鋅和硫化鎵的混合物置于真空條件下，經(jīng)過50 h升溫至850 ℃，保溫100-150h，然后經(jīng)過110-130 h降至300 ℃，得到所述四元硫?qū)倩衔铩?/p>

12.根據(jù)權(quán)利要求8-11任一項所述的制備方法，其特征在于，將原料硫化鋇、硫化鋅和硫化鎵的混合物置于石墨坩堝中進行高溫固相反應(yīng)。