[發明專利]高階負型光阻剝膜槽

在審

• 申請號: 201811043114.9
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN110888305A
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發明（設計）人: 王彥智
• 申請（專利權）人: 王彥智
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 昆山中際國創知識產權代理有限公司 32311
• 代理人: 張文婷

本發明公開了一種高階負型光阻剝膜槽，包括用于盛裝剝膜液的主槽體，主槽體內設有用于固定待剝膜的基板的掛架和能夠使剝膜液產生渦流的搖擺機構；主槽體的上端設有循環槽以及底部設有循環管道，該循環管道從主槽體的外部連通至循環槽，循環管道上設有用于使膜渣和溶液分離的系統馬達和用于過濾分離后的溶液的過濾器。該高階負型光阻剝膜槽通過搖擺機構形成的渦流將光刻膠干膜溶解，使干膜細小化，不僅浸泡時間短，剝膜速度快，產能高，而且對高縱橫比/高深寬比的剝膜制程，于基板底部不留干膜，產品良率大大提高。

技術領域

本發明涉及一種高階負型光阻剝膜槽。

背景技術

光刻膠(英語：photoresist)，亦稱為光阻或光阻劑，是指通過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕刻薄膜材料，是光刻工藝中的關鍵材料，主要應用于集成電路和半導體分立器件的細微圖形加工。

光阻主要可分為正型光阻和負型光阻，正型光阻就是被光照射的部分可以背顯影液去除，而未曝光的光阻則不會被顯影液去除；而負型光阻則相反，被光照射的部分不會被顯影液去除，而其余不被光所照射的區域將會被顯影液去除。

負型光阻因其可于剝膜后，維持高縱橫比，圓形電鍍即細線路(L/S＜10μm)圓形電鍍的形狀優于正型光阻，在未來先進制造于印刷電路板/載板/軟板/3D IC封裝市場中，將是不可或缺的重要材料。

但現有的負型光阻在剝膜時存在產能低、均勻性不佳、制程時間長、底部有殘膜等缺點。

發明內容

為了克服上述缺陷，本發明提供了一種高階負型光阻剝膜槽，能夠實現快速剝膜，底部無殘留。

本發明為了解決其技術問題所采用的技術方案是：一種高階負型光阻剝膜槽，包括用于盛裝剝膜液的主槽體，所述主槽體內設有用于固定待剝膜的基板的掛架和能夠使所述剝膜液產生渦流的搖擺機構；所述主槽體的上端設有循環槽以及底部設有循環管道，該循環管道從所述主槽體的外部連通至所述循環槽，所述循環管道上設有用于使膜渣和溶液分離的系統馬達和用于過濾分離后的溶液的過濾器。

作為本發明的進一步改進，所述搖擺機構包括搖擺框架、驅動馬達和依次平行間隔設于所述搖擺框架上的葉片，所述驅動馬達能夠帶動每個葉片繞其軸線按設定的頻率和角度搖擺。

作為本發明的進一步改進，所述驅動馬達為線性馬達。

作為本發明的進一步改進，所述葉片的厚度為0.3～50mm，所述葉片的搖擺頻率為0.1～15Hz，所述葉片的搖擺行程為0.3～50mm，所述葉片的搖擺角度為15°～85°。

作為本發明的進一步改進，所述葉片為金屬、塑料或金屬包塑形成。

作為本發明的進一步改進，所述塑料包括PVC、PP、PE和PEEK至少其中之一。

作為本發明的進一步改進，所述搖擺機構為兩個，分別沿相互垂直的兩個豎直方向設置于所述主槽體內。

作為本發明的進一步改進，所述基板與其中一個搖擺機構平行設置。

本發明的有益效果是：浸泡時間短，剝膜速度快，產能高；對高縱橫比/高深寬比的剝膜制程，于基板底部不留干膜，產品良率提高；剝膜后的干膜將細小化，即使不溶解于溶液中，但容易隨循環流入處理槽，剝膜過程不會造成產品刮傷；剝膜干膜不溶于溶液中，將其細小化容易膜渣溶液分離，則溶液更換率低，產品成本低；因將膜渣細小化，亦將其由溶液中分離，可將膜渣回收再利用，更加經濟。

附圖說明

圖1為本發明結構示意圖；

圖2為本發明Y向的搖擺機構結構示意圖；

圖3為本發明Z向的搖擺機構結構示意圖；