[發(fā)明專利]檢測裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811041577.1 | 申請日: | 2018-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN110888170A | 公開(公告)日: | 2020-03-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張琨盛;林敬基 | 申請(專利權(quán))人: | 宏碁股份有限公司 |
| 主分類號: | G01V3/08 | 分類號: | G01V3/08 |
| 代理公司: | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 黃艷 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 檢測 裝置 | ||
1.一種檢測裝置,包括:
一第一螺線結(jié)構(gòu),具有一第一端和一第二端;
一鄰近感測器,耦接至該第一螺線結(jié)構(gòu)的該第一端;
一第一貫通元件;
一第一靜電場增強(qiáng)元件,鄰近于該第一螺線結(jié)構(gòu),其中該第一螺線結(jié)構(gòu)的該第一端是經(jīng)由該第一貫通元件耦接至該第一靜電場增強(qiáng)元件,該第一螺線結(jié)構(gòu)的該第二端為一開路端,而該第一靜電場增強(qiáng)元件用于增加該檢測裝置的指向性;以及
一第一非導(dǎo)體基板,介于該第一螺線結(jié)構(gòu)和該第一靜電場增強(qiáng)元件之間,其中該第一貫通元件是穿透該第一非導(dǎo)體基板。
2.如權(quán)利要求1所述的檢測裝置,其中該第一靜電場增強(qiáng)元件為一第一金屬平面。
3.如權(quán)利要求1所述的檢測裝置,其中該第一螺線結(jié)構(gòu)的線寬介于0.3mm至0.5mm之間。
4.如權(quán)利要求1所述的檢測裝置,其中該第一螺線結(jié)構(gòu)的任兩條相鄰導(dǎo)線的間距小于或等于0.3mm。
5.如權(quán)利要求1所述的檢測裝置,其中該第一螺線結(jié)構(gòu)是大致平行于該第一靜電場增強(qiáng)元件,而該第一螺線結(jié)構(gòu)和該第一靜電場增強(qiáng)元件的間距小于2mm。
6.如權(quán)利要求1所述的檢測裝置,其中該第一螺線結(jié)構(gòu)的垂直投影是完全位于該第一靜電場增強(qiáng)元件的內(nèi)部。
7.如權(quán)利要求1所述的檢測裝置,還包括:
一第二螺線結(jié)構(gòu),具有一第一端和一第二端;
一第二貫通元件;
一第二靜電場增強(qiáng)元件,鄰近于該第二螺線結(jié)構(gòu),其中該第二螺線結(jié)構(gòu)的該第一端是經(jīng)由該第二貫通元件耦接至該第二靜電場增強(qiáng)元件,而該第二螺線結(jié)構(gòu)的該第二端為一開路端;以及
一第二非導(dǎo)體基板,介于該第二螺線結(jié)構(gòu)和該第二靜電場增強(qiáng)元件之間,其中該第二貫通元件是穿透該第二非導(dǎo)體基板。
8.如權(quán)利要求7所述的檢測裝置,其中該第二靜電場增強(qiáng)元件為一第二金屬平面。
9.如權(quán)利要求7所述的檢測裝置,還包括:
一連接部,耦接于該第一螺線結(jié)構(gòu)的該第一端和該第二螺線結(jié)構(gòu)的該第一端之間。
10.如權(quán)利要求9所述的檢測裝置,其中該第一螺線結(jié)構(gòu)、該第二螺線結(jié)構(gòu),以及該連接部界定出一非金屬缺口區(qū)域,一天線元件的垂直投影是完全位于該非金屬缺口區(qū)域的內(nèi)部,使得該天線元件的輻射場型不會受到檢測裝置的負(fù)面影響。
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