[發明專利]一種通用掩模版盒在審
| 申請號: | 201811041483.4 | 申請日: | 2018-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN109116677A | 公開(公告)日: | 2019-01-01 |
| 發明(設計)人: | 朱希進;尤春;劉維維;季書鳳;楊長華;薛文卿;張月圓;劉浩;陳青;劉孝君 | 申請(專利權)人: | 無錫中微掩模電子有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/66 | 分類號: | G03F1/66 |
| 代理公司: | 連云港聯創專利代理事務所(特殊普通合伙) 32330 | 代理人: | 劉剛 |
| 地址: | 214000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩模版 掩模版盒 合蓋 存放盒 限板 通用掩模版 限位板 四邊中心位置 綠色環保 防塵 防水霧 傾斜面 軟鉸鏈 限位槽 限位桿 加工 | ||
本發明公開了一種通用掩模版盒,包括掩模版盒上合蓋,掩模版盒上合蓋一側設有掩模版存放盒,掩模版盒上合蓋和掩模版存放盒之間通過兩個軟鉸鏈連接,掩模版盒上合蓋和掩模版存放盒上均設有5009掩模版限板,5009掩模版限板分別設置于掩模版盒上合蓋和掩模版存放盒的四邊中心位置,每個設有兩個限位桿,上的限位板之間設有5009掩模版限位槽,掩模版盒上合蓋和掩模版存放盒四周均設有6025掩模版限位板,5009掩模版限板內側設有互為直角的傾斜面,本發明所達到的有益效果是:本發明結構緊湊,在使用方便、功能實用、方便加工且定位簡單的同時達到防水霧、防塵的功能,綠色環保。
技術領域
本發明特別涉及一種通用掩模版盒,屬于掩模版盒技術領域。
背景技術
傳統的掩模版盒,無法同時存放5009和6025的掩模版,不方便加工,且難以定位,使用不便。
發明內容
本發明要解決的技術問題是克服現有技術的缺陷,提供一種通用掩模版盒。
為了解決上述技術問題,本發明提供了如下的技術方案:
本發明一種通用掩模版盒,包括掩模版盒上合蓋,所述掩模版盒上合蓋一側設有掩模版存放盒,所述掩模版盒上合蓋和掩模版存放盒之間通過兩個軟鉸鏈連接,所述掩模版盒上合蓋和掩模版存放盒上均設有5009掩模版限板,所述5009掩模版限板分別設置于掩模版盒上合蓋和掩模版存放盒的四邊中心位置,每個所述設有兩個限位桿,所述上的限位板之間設有5009掩模版限位槽,所述掩模版盒上合蓋和掩模版存放盒四周均設有6025掩模版限位板,所述5009掩模版限板內側設有互為直角的傾斜面,四個所述5009掩模版限板之間的傾斜面之間形成5009掩模版存放區,四個所述6025掩模版限位板之間形成6025掩模版存放區,每個所述掩模版存放盒上的6025掩模版限位板內兩側各設有一個卡接槽,每個所述掩模版盒上合蓋上的6025掩模版限位板內兩側各設有一個卡接柱,所述卡接柱卡接于卡接槽上,所述掩模版盒上合蓋和掩模版存放盒通過卡接柱和卡接槽互相連接。
作為優選,所述軟鉸鏈為軟質韌性橡膠材質制成。
作為優選,所述掩模版盒上合蓋和掩模版存放盒的相接處設有乳膠封邊。
作為優選,所述掩模版盒上合蓋和掩模版存放盒均采用PVE環保材質制成。
作為優選,所述卡接柱為橡膠材質制成的圓柱體,所述卡接槽內部的槽的體積與卡接柱相同。
本發明所達到的有益效果是:本發明一種通用掩模版盒,可用于存放5009或者6025的掩模版,軟鉸鏈為軟質韌性橡膠材質制成,可通軟鉸鏈將掩模版盒上合蓋和掩模版存放盒連接,方便掩模版盒上合蓋和掩模版存放盒的開合;掩模版盒上合蓋和掩模版存放盒的相接處設有乳膠封邊,提高掩模版盒上合蓋和掩模版存放盒保存時的氣密性,達到防塵、防霧水的功能;掩模版盒上合蓋和掩模版存放盒均采用PVE環保材質制成,經濟耐用、綠色環保;卡接柱為橡膠材質制成的圓柱體,卡接槽內部的槽的體積與卡接柱相同,方便掩模版盒上合蓋和掩模版存放盒開合的同時使本發明整體結構更緊湊,本發明結構緊湊,在使用方便、功能實用、方便加工且定位簡單的同時達到防水霧、防塵的功能,綠色環保。
附圖說明
附圖用來提供對本發明的進一步理解,并且構成說明書的一部分,與本發明的實施例一起用于解釋本發明,并不構成對本發明的限制。在附圖中:
圖1是本發明的結構示意圖。
圖中:1、掩模版盒上合蓋;2、掩模版存放盒;3、軟鉸鏈;4、卡接柱;5、6025掩模版存放區;6、5009掩模版限板;7、5009掩模版限位槽;8、6025掩模版限位板;9、卡接槽;10、5009掩模版存放區。
具體實施方式
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





