[發(fā)明專利]陣列基板及液晶顯示器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811041370.4
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN108897176A
• 公開（公告）日: 2018-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王川
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種陣列基板，其特征在于：所述陣列基板包括陣列分布的像素單元，所述像素單元包括：

第一電極層，設(shè)置于玻璃基板上；

介電層，設(shè)置于所述第一電極層表面；以及，

第二電極層，設(shè)置于所述介電層表面，所述第二電極層包括圖案化的電極圖案；

其中，所述電極圖案包括主體電極圖案，和位于所述主體電極圖案至少一側(cè)的輔助電極圖案，所述輔助電極圖案與所述第一電極層通過過孔電性連接，所述輔助電極圖案與所述主體電極圖案之間形成用以驅(qū)動液晶偏轉(zhuǎn)的平行電場。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于：所述主體電極圖案與所述第一電極層形成重疊區(qū)域與非重疊區(qū)域，所述輔助電極圖案對應(yīng)所述非重疊區(qū)域與所述主體電極圖案間隔設(shè)置。

3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于：所述陣列基板還包括陣列分布的薄膜晶體管，所述介電層上形成有第一過孔，所述輔助電極圖案通過所述第一過孔與所述第一電極層連接；所述主體電極圖案通過所述第一過孔與所述薄膜晶體管的漏極連接。

4.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于：所述輔助電極圖案對應(yīng)所述非重疊區(qū)域呈間隔分布，一所述輔助電極圖案至少對應(yīng)一所述第一過孔。

5.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于：所述第一電極層上形成有第二過孔，所述第二過孔的孔徑大于所述第一過孔的孔徑，且所述第二過孔對應(yīng)所述重疊區(qū)域嵌套于所述第一過孔上，使得對應(yīng)所述第一過孔中的所述主體電極圖案通過所述介電層與所述第一電極層絕緣。

6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于：所述輔助電極圖案與所述主體電極圖案等間距設(shè)置。

7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于：所述主體電極圖案和所述第一電極層分別與所述薄膜晶體管的金屬導(dǎo)線連接，形成用以驅(qū)動液晶偏轉(zhuǎn)的電壓差。

8.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于：所述介電層內(nèi)設(shè)置至少對應(yīng)一所述第一過孔。

9.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于：所述輔助電極圖案和所述主體電極圖案經(jīng)由同一道制作工藝形成，且成分均為氧化銦錫。

10.一種液晶顯示器，其特征在于：包括如權(quán)利要求1-9任一權(quán)項所述的陣列基板。