[發明專利]一種半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201811033863.3
• 申請日: 2018-09-05
• 公開（公告）號: CN109192721A
• 公開（公告）日: 2019-01-11
• 發明（設計）人: 殷華湘;潘宇;許高博
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 趙秀芹;王寶筠

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

半導體襯底；

位于所述半導體襯底上方的第一電路器件；

位于所述第一電路器件上方的第一半導體層；

位于所述第一半導體層中的第二電路器件；

其中，所述第一電路器件和所述第二電路器件通過互連線層、接觸孔和通孔實現互連。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述接觸孔包括第一接觸孔，所述互連線層包括第一互連線層；

所述半導體器件還包括：

位于所述第一電路器件和所述第一半導體層之間的第一絕緣介質層；

其中，所述第一互連線層位于所述第一絕緣介質層的上方；所述第一接觸孔貫穿所述第一絕緣介質層，用于電連接所述第一電路器件和所述第一互連線層。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：

覆蓋所述第一互連線層的第二絕緣介質層。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述接觸孔還包括第二接觸孔，所述互連線層還包括第二互連線層；

所述半導體器件還包括：

位于所述第二電路器件上方的第三絕緣介質層；

所述第二互連層位于所述第三絕緣介質層的上方，所述第二接觸孔貫穿所述第三絕緣介質層，用于電連接所述第二電路器件和所述第二互連線層；

所述通孔貫穿所述第三絕緣介質層、半導體層和第二絕緣介質層，用于電連接所述第二互連層和所述第一互連線層。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：

覆蓋所述第二互連線層的第四絕緣介質層。

6.根據權利要求1-5任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體層的材料為二維材料、碳納米管、低溫鍵合單晶硅、低溫沉積多晶硅和低溫沉積氧化物半導體中的至少一種。

7.根據權利要求1-5任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：

位于所述第一電路器件和所述第一半導體層之間的第二半導體層；

位于所述第二半導體層中的第三電路器件；

其中，所述第一電路器件、所述第三電路器件和所述第二電路器件通過互連線層、接觸孔和通孔實現互連。

8.根據權利要求1-5任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述第一電路器件或所述第二電路器件為邏輯電路器件、MOS器件或者存儲器件中的至少一種。

9.根據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述第三電路器件為MOS器件。

10.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成第一電路器件；

在所述第一電路器件上方形成第一半導體層；

在所述第一半導體層中形成第二電路器件；

其中，所述第一電路器件和所述第二電路器件通過互連線層、接觸孔和通孔實現互連。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述接觸孔包括第一接觸孔，所述互連線層包括第一互連線層；

所述方法還包括：

在所述第一電路器件和所述第一半導體層之間形成第一絕緣介質層；

形成貫穿所述第一絕緣介質層的第一接觸孔；

在所述第一絕緣介質層上方形成第一互連線層；

其中，所述第一接觸孔用于電連接所述第一電路器件和所述第一互連線層。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

形成覆蓋所述第一互連線層的第二絕緣介質層。