[發明專利]一種利用線性/環形微等離子放電自平衡技術制備納米化涂層的方法有效
| 申請號: | 201811030180.2 | 申請日: | 2018-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN109023469B | 公開(公告)日: | 2020-05-05 |
| 發明(設計)人: | 張偉;邱驥;朱圣龍;李海波;王福會 | 申請(專利權)人: | 中國科學院金屬研究所 |
| 主分類號: | C25D11/06 | 分類號: | C25D11/06;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002 | 代理人: | 于曉波 |
| 地址: | 110016 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 利用 線性 環形 等離子 放電 平衡 技術 制備 納米 涂層 方法 | ||
1.一種利用線性/環形微等離子放電自平衡技術制備納米化涂層的方法,其特征在于:該方法以鋁合金或鋁基復合材料為基體材料,并利用線性/環形微等離子放電自平衡技術,在鋁合金表面構建了線性/環形微弧氧化等離子放電火花,從而在基體材料表面制備了納米尺度單致密微弧氧化涂層;所述線性/環形微等離子放電自平衡技術包括如下步驟:
(1)選擇電壓控制方式;
(2)納米級點狀等離子放電火花的構建:在步驟(1)所述電壓控制方式的基礎上,進一步通過調整電解液組成和控制電參數,將等離子放電火花的形態調整為納米級白色點狀;
(3)線性/環形微等離子放電火花的構建:
在等離子放電火花的形態調整為納米級白色點狀后,通過進一步調整電參數的控制方式,將納米級點狀等離子放電火花進行陣列有序控制,形成線性或者環狀結構的微等離子放電火花;
步驟(1)中,所述電壓控制方式在一個周期內依次為:
正向電壓10~600V,占空比30%~70%;
電壓0V,占空比5%~10%;
負向電壓10~200V,占空比10%~50%;
電壓0V,占空比5%~10%;
步驟(2)中,所采用電解液的組成如下:
所述電解液中,主鹽為葡萄糖酸鈉,pH調節劑為氫氧化鈉或者氫氧化鉀,添加劑為鋁酸鈉,穩定劑為硅酸鈉;
步驟(2)中,所采用的電參數如下:
氧化時間:20~300分鐘,脈沖頻率:200~1000Hz;
正向電壓:10~600V,正向電流密度:2~10A/cm2;
負向電壓:10~300V,負向電流密度:1~10A/cm2;
步驟(3)中所采用的電參數的控制方式按以下三個階段進行:
第一階段:氧化時間20~60分鐘,正向電壓400~500V,正向電流密度1~2A/cm2,負向電壓60~100V,負向電流密度2~5A/cm2,脈沖頻率200~1000Hz;
第二階段:氧化時間60~120分鐘,正向電壓450~500V,正向電流密度2~5A/cm2,負向電壓80~150V,負向電流密度1~5A/cm2,脈沖頻率200~1000Hz;
第三階段:氧化時間90~240分鐘,正向電壓480~550V,正向電流密度0.5~3A/cm2,負向電壓100~200V,負向電流密度0.5~2A/cm2,脈沖頻率200~1000Hz。
2.根據權利要求1所述的利用線性/環形微等離子放電自平衡技術制備納米化涂層的方法,其特征在于:所述納米尺度單致密微弧氧化涂層的厚度為30~100μm,具有單致密層結構,晶粒尺寸為10~100nm;致密度為80%~95%。
3.根據權利要求1所述的利用線性/環形微等離子放電自平衡技術制備納米化涂層的方法,其特征在于:所述微弧氧化陶瓷涂層的晶體結構主要為α-Al2O3。
4.根據權利要求1所述的利用線性/環形微等離子放電自平衡技術制備納米化涂層的方法,其特征在于:所述微弧氧化陶瓷涂層與基體的結合強度為40~70MPa,涂層表面維氏硬度最大為800~1200HV,耐中性鹽霧試驗時間達1000~5000小時,摩擦系數為0.4~1.0,磨損量為0.1~1.0g。
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