[發明專利]晶圓級系統封裝方法以及封裝結構

有效

• 申請號: 201811028265.7
• 申請日: 2018-09-04
• 公開（公告）號: CN110875281B
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 羅海龍;克里夫·德勞利
• 申請（專利權）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L25/18;H01L21/56
• 代理公司: 上海知錦知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜;李麗

1.一種晶圓級系統封裝方法，其特征在于，包括：

形成鍵合結構，所述鍵合結構包括：器件晶圓以及鍵合于所述器件晶圓的多個芯片，所述多個芯片中待屏蔽的芯片為第一芯片，所述第一芯片的數量為一個或多個,所述器件晶圓中形成有多個第二芯片；

形成覆蓋所述多個芯片的封裝層；

在所述封裝層中形成圍繞各個所述第一芯片的溝槽,所述溝槽的寬度在10～50微米的范圍內,所述溝槽靠近所述第一芯片的側壁為內側壁，所述內側壁與所述第一芯片的間距在5～100微米范圍內；

在所述溝槽中和第一芯片上方封裝層表面形成導電材料；位于所述溝槽中的導電材料為導電側壁，位于所述第一芯片上方封裝層表面的導電材料為導電層，用于與所述導電側壁相連構成屏蔽殼體。

2.如權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述在所述溝槽中和封裝層表面形成導電材料的步驟包括：

在所述封裝層上覆蓋導電材料；

去除部分導電材料且保留各個第一芯片上方封裝層表面的導電材料，所保留的導電材料為所述導電層。

3.如權利要求2所述的封裝方法，其特征在于，所述導電側壁背向所述第一芯片的面為外側面；去除部分導電材料且保留第一芯片上方封裝層表面的導電材料的步驟包括：

在所述第一芯片上方的導電材料上形成掩膜層，所述掩膜層遮擋第一芯片上方的導電層且所述掩膜層的側壁與所述外側面對準；去除所述掩膜層露出的導電材料。

4.如權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，通過刻蝕工藝形成所述溝槽。

5.如權利要求4所述的封裝方法，其特征在于，所述刻蝕工藝為激光刻蝕工藝。

6.如權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述導電材料為金屬，通過電鍍工藝形成所述金屬。

7.如權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述封裝層的材料為介電質。

8.如權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，通過注塑工藝形成所述封裝層。

9.如權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述溝槽露出所述器件晶圓，或者，所述溝槽的底部位于所述封裝層中。

10.一種晶圓級系統封裝結構，其特征在于，包括：

器件晶圓,所述器件晶圓中形成有多個第二芯片；

鍵合于所述器件晶圓的多個芯片，所述多個芯片中待屏蔽的芯片為第一芯片，所述第一芯片的數量為一個或多個；

覆蓋于所述多個芯片上的封裝層；

位于所述封裝層中且圍繞各個所述第一芯片的導電側壁,所述導電側壁的厚度位于10～50微米的范圍內,所述導電側壁靠近所述第一芯片的側壁為內側壁，所述內側壁與所述第一芯片間距在5～100微米范圍內；

位于所述第一芯片上方封裝層表面的導電層，用于與所述導電側壁相連構成屏蔽殼體。

11.如權利要求10所述的封裝結構，其特征在于，所述屏蔽殼體的材料為金屬。

12.如權利要求10所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝層的材料為電介質。

13.如權利要求10所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝層為注塑層。

14.如權利要求10所述的封裝結構，其特征在于，所述導電側壁的底部與所述器件晶圓相接觸，或者，所述導電側壁的底部位于所述封裝層中。