[發(fā)明專利]一種P型單晶硅電池及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811028195.5
• 申請日: 2018-09-04
• 公開（公告）號: CN109216480B
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發(fā)明（設計）人: 管先炳
• 申請（專利權）人: 蘇州元聯(lián)科技創(chuàng)業(yè)園管理有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/18
• 代理公司: 11588 北京華仁聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 陳建<國際申請>=<國際公布>=<進入國

1.一種P型單晶硅電池的制造方法，其特征在于：包括以下步驟：

1)提供一P型單晶硅片，在所述P型單晶硅片的上表面形成多個平行排列的第一條形溝槽，在所述P型單晶硅片的下表面形成多個平行排列的第二條形溝槽，所述第一條形溝槽的深度與所述P型單晶硅片的厚度的比值為0.6-0.8，所述第二條形溝槽的深度與所述P型單晶硅片的厚度的比值為0.5-0.7，多個所述第一條形溝槽與多個所述第二條形溝槽在垂直方向上均不重疊，所述第一條形溝槽與相鄰的所述第二條形溝槽之間單晶硅層的厚度為25-35微米；

2)接著對所述P型單晶硅片進行濕法刻蝕處理，以在所述P型單晶硅片的上表面以及所述第一條形溝槽的底部形成硅納米線陣列；

3)接著對所述P型單晶硅片的上表面進行第一次磷擴散工藝，以在所述P型單晶硅片的上表面、所述第一條形溝槽的側壁以及所述第一條形溝槽的底部上形成一N型磷擴散層，接著利用掩膜對所述P型單晶硅片的上表面進行第二次磷擴散工藝，以在所述P型單晶硅片上形成多個間隔設置的N型重摻雜磷擴散區(qū)，多個所述N型重摻雜磷擴散區(qū)分別設置在相應的多個所述第一條形溝槽的底部；

4)接著利用掩膜對所述P型單晶硅片的下表面進行第一次硼擴散工藝，以在所述P型單晶硅片的下表面形成多個間隔設置的P型重摻雜硼擴散區(qū)，多個所述P型重摻雜硼擴散區(qū)分別設置在相應的多個所述第二條形溝槽的底部；

5)接著在所述P型單晶硅片的上表面形成第一鈍化層，并在所述P型單晶硅片的下表面形成第二鈍化層；

6)接著在所述P型單晶硅片的上表面形成正面電極，并在所述P型單晶硅片的下表面形成背面電極。

2.根據(jù)權利要求1所述的P型單晶硅電池的制造方法，其特征在于：在所述步驟(1)中，所述P型單晶硅片的厚度為250-400微米，所述第一條形溝槽以及所述第二條形溝槽的寬度均為3-4毫米，相鄰所述第一條形溝槽之間的間距為9-12毫米，相鄰所述第二條形溝槽之間的間距為9-12毫米。

3.根據(jù)權利要求1所述的P型單晶硅電池的制造方法，其特征在于：在所述步驟(2)中，所述硅納米線陣列中單個硅納米線的直徑為200-300納米，相鄰硅納米線的間距為150-250納米，單個硅納米的長度為400-600納米。

4.根據(jù)權利要求1所述的P型單晶硅電池的制造方法，其特征在于：在所述步驟(3)中，多個間隔設置的所述N型重摻雜磷擴散區(qū)均位于所述第一條形溝槽的底部。

5.根據(jù)權利要求1所述的P型單晶硅電池的制造方法，其特征在于：在所述步驟(4)中，多個間隔設置的所述P型重摻雜硼擴散區(qū)均位于所述第二條形溝槽的底部。

6.根據(jù)權利要求1所述的P型單晶硅電池的制造方法，其特征在于：在所述步驟(5)中，所述第一鈍化層和所述第二鈍化層的材質為氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鋯中的一種或多種，所述第一鈍化層和所述第二鈍化層的厚度均為300-600納米。

7.根據(jù)權利要求1所述的P型單晶硅電池的制造方法，其特征在于：

在所述步驟(6)中，所述正面電極包括主柵線和副柵線，所述正面電極的主柵線位于所述第一條形溝槽中，所述背面電極包括主柵線和副柵線，所述背面電極的主柵線位于所述第二條形溝槽中，所述正面電極和所述背面電極的材質為銀、銅、鈦、鈀、金以及鋁中的一種或多種。

8.一種P型單晶硅電池，其特征在于，采用權利要求1-7任一項所述的方法制造形成的。