[發明專利]一種基于電壓調控的可重構太赫茲波超衍射聚焦器件在審
| 申請號： | 201811024096.X | 申請日： | 2018-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN109031685A | 公開（公告）日： | 2018-12-18 |
| 發明（設計）人： | 溫中泉;陳剛;張智海;梁高峰 | 申請（專利權）人： | 重慶大學 |
| 主分類號： | G02B27/42 | 分類號： | G02B27/42 |
| 代理公司： | 重慶市信立達專利代理事務所(普通合伙) 50230 | 代理人： | 包曉靜 |
| 地址： | 400044 *** | 國省代碼： | 重慶;50 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 石墨烯層 太赫茲波 電壓調控 光學聚焦 聚焦器件 導電層 高分辨 可重構 抵接 硅層 衍射 遠場 絕緣層 技術方案要點 生物醫學成像 絕緣層表面 硅層表面 間距相等 近場光學 聚焦技術 同心設置 衍射極限 焦距 超分辨 環形狀 安檢 遙感 抵觸 聚焦 覆蓋 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于電壓調控的可重構太赫茲波超衍射聚焦器件，其特征是：包括硅層(1)和多個與硅層(1)表面抵接的石墨烯層(2)；所述石墨烯層(2)呈環形狀，多個石墨烯層(2)同心設置，相鄰石墨烯層(2)之間間距相等；相鄰所述石墨烯層(2)之間環設有與硅層(1)抵接的絕緣層(4)；所述絕緣層(4)表面覆蓋有導電層(3)，導電層(3)兩側分別與相鄰石墨烯層(2)抵觸。
2.根據權利要求1所述的一種基于電壓調控的可重構太赫茲波超衍射聚焦器件，其特征是：所述硅層(1)形成有P阱區(5)，所述導電層(3)設有穿過絕緣層(4)后與P阱區(5)連接的開關(6)。
3.根據權利要求1所述的一種基于電壓調控的可重構太赫茲波超衍射聚焦器件，其特征是：所述石墨烯層(2)和硅層(1)為亞波長尺度系列硅基石墨烯，工作波長范圍為0.5THz-4THz。
4.根據權利要求1所述的一種基于電壓調控的可重構太赫茲波超衍射聚焦器件，其特征是：所述絕緣層(4)為氧化硅層。
5.根據權利要求1-4任意一項所述的一種基于電壓調控的可重構太赫茲波超衍射聚焦器件，其特征是：所述硅層(1)環設有位于相鄰石墨烯層(2)之間的隔離槽(7)，隔離槽(7)與石墨烯層(2)同心設置。
6.根據權利要求5所述的一種基于電壓調控的可重構太赫茲波超衍射聚焦器件，其特征是：所述隔離槽(7)填充有高K介質。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于重慶大學，未經重慶大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811024096.X/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種光子篩像差分析方法
- 下一篇：一種降低激光相干性的裝置及方法
