[發(fā)明專利]一種精確測量硅片上下面去除量的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811004443.2 | 申請日： | 2018-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN109141324A | 公開（公告）日： | 2019-01-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 葉挺;賀賢漢 | 申請（專利權(quán)）人： | 杭州中芯晶圓半導(dǎo)體股份有限公司;上海申和熱磁電子有限公司 |
| 主分類號： | G01B21/08 | 分類號： | G01B21/08 |
| 代理公司： | 上海順華專利代理有限責(zé)任公司 31203 | 代理人： | 顧蘭芳 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市蕭山區(qū)*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅片 倒角 寬幅 去除 測量硅片 上倒角 輪廓儀 研磨 半導(dǎo)體制造領(lǐng)域 三角函數(shù)公式 硅片研磨 計算模塊 測量 | ||
1.一種精確測量硅片上下面去除量的方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一，研磨前用倒角輪廓儀測量硅片尺寸參數(shù)，硅片尺寸參數(shù)包括硅片上倒角寬幅、硅片下倒角寬幅、硅片上倒角角度、硅片下倒角角度、硅片厚度；
步驟二，硅片研磨后，再次用倒角輪廓儀測量硅片尺寸參數(shù)，硅片尺寸參數(shù)包括硅片上倒角寬幅、硅片下倒角寬幅、硅片上倒角角度、硅片下倒角角度、硅片厚度；
步驟三，通過計算模塊將研磨前以及研磨后的硅片上倒角寬幅相減，并根據(jù)三角函數(shù)公式，計算得到硅片上面去除量；同理，通過計算模塊將研磨前以及研磨后的硅片下倒角寬幅相減，并根據(jù)三角函數(shù)公式，計算得到硅片下面去除量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種精確測量硅片上下面去除量的方法，其特征在于：步驟三中，硅片上面去除量的計算公式為d1＝(X1-X1′)tan1，其中，X1為研磨前硅片上倒角寬幅，X1′為研磨后硅片上倒角寬幅，θ1為研磨前硅片上倒角角度，θ1′為研磨后硅片上倒角角度，θ1與θ1′的差值小于1°；
硅片下面去除量的計算公式為d2＝(X2-X2′)tan2，其中，X2為研磨前硅片下倒角寬幅，X2′為研磨后硅片下倒角寬幅，θ2為研磨前硅片下倒角角度，θ2′為研磨后硅片下倒角角度，θ2與θ2′的差值小于1°。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種精確測量硅片上下面去除量的方法，其特征在于：T1為研磨前硅片厚度，T1′為研磨后硅片厚度；
步驟四通過分別計算d1+d2與T1-T1′，對步驟三的計算結(jié)果進行驗證；
如若d1+d2與T1-T1′兩者的差值在3μm范圍內(nèi)，表明步驟三計算的精確度高，d1+d2與T1-T1′兩者的差值越小，表明步驟三計算出數(shù)值的精確度越高；
如若d1+d2與T1-T1′兩者的差值超出3μm范圍內(nèi)，表明計算有誤，查找錯誤原因，錯誤原因包括研磨導(dǎo)致的硅片上下表面不平整導(dǎo)致的誤差。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種精確測量硅片上下面去除量的方法，其特征在于：步驟二中，首先將研磨后的硅片洗凈后，用倒角輪廓儀測量。避免研磨屑造成的測量誤差。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種精確測量硅片上下面去除量的方法，其特征在于：步驟一中，通過倒角輪廓儀測量研磨前硅片先端半徑；
步驟二中，通過倒角輪廓儀測量研磨后硅片先端半徑；
研磨前先端半徑等于研磨后先端半徑。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種精確測量硅片上下面去除量的方法，其特征在于：步驟一中倒角輪廓儀通過測量至少三個位置的硅片尺寸參數(shù)，對每次測量出的硅片尺寸參數(shù)進行平均作為研磨前的硅片尺寸參數(shù)；
步驟二中倒角輪廓儀通過測量至少三個位置的硅片尺寸參數(shù)，對每次測量出的硅片尺寸參數(shù)進行平均作為研磨后的硅片尺寸參數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種精確測量硅片上下面去除量的方法，其特征在于：倒角輪廓儀連接一主機，所述主機內(nèi)設(shè)有一存儲模塊，倒角輪廓儀將研磨前與研磨后測量獲得的硅片尺寸參數(shù)傳輸至主機，并存儲在存儲模塊內(nèi)；
所述主機內(nèi)還安裝一硅片去除量計算軟件，所述硅片去除量計算軟件設(shè)有一計算模塊；
步驟三中，計算模塊導(dǎo)入存儲模塊內(nèi)存儲的硅片尺寸參數(shù)，并通過三角函數(shù)公式，計算獲得硅片上面去除量以及硅片下面去除量。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種精確測量硅片上下面去除量的方法，其特征在于：所述硅片去除量計算軟件還設(shè)有一校驗?zāi)K，所述校驗?zāi)K比較d1+d2與T1-T1′兩者的差值；
如若d1+d2與T1-T1′兩者的差值在3μm范圍內(nèi)，表明步驟三計算的精確度高，d1+d2與T1-T1′兩者的差值越小，表明步驟三計算出數(shù)值的精確度越高；
如若d1+d2與T1-T1′兩者的差值超出3μm范圍內(nèi)，表明計算有誤，查找錯誤原因，錯誤原因包括研磨導(dǎo)致的硅片上下表面不平整導(dǎo)致的誤差。
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