[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810995566.0 | 申請日: | 2018-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN109817603A | 公開(公告)日: | 2019-05-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王朝勛;尹煜峰;趙高毅;王美勻;張峰瑜;高承遠(yuǎn) | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/522 | 分類號: | H01L23/522;H01L29/49 |
| 代理公司: | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 黃艷 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 柵極電極 導(dǎo)電層 接觸部件 沉積 金屬柵極結(jié)構(gòu) 上表面 高介電常數(shù)柵極 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 導(dǎo)電層形成 柵極介電層 介電層 鑲?cè)?/a> | ||
導(dǎo)電層形成在金屬柵極結(jié)構(gòu)與接觸部件之間,上述金屬柵極結(jié)構(gòu)包含高介電常數(shù)柵極介電層及柵極電極。導(dǎo)電層可選擇性地沉積在柵極電極的上表面上方;或通過例如控制沉積的時(shí)間,而不具選擇性地形成在柵極介電層及柵極電極的上表面上。導(dǎo)電層具有鑲?cè)霒艠O電極內(nèi)的底部。導(dǎo)電層及接觸部件可由不同的沉積技術(shù)形成,但導(dǎo)電層及接觸部件可包含相同的組成。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實(shí)施例涉及具有導(dǎo)電層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),特別涉及一種具有形成在金屬柵極結(jié)構(gòu)與接觸部件之間的導(dǎo)電層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
集成電路(integrated circuit,IC)產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)指數(shù)性的成長。IC材料和設(shè)計(jì)在技術(shù)上的發(fā)展造就了各個(gè)世代的IC,且每個(gè)世代都比先前的世代有更小及更復(fù)雜的電路。在IC進(jìn)化的過程,功能密度(例如每一個(gè)芯片面積的內(nèi)連線裝置的數(shù)量)持續(xù)增加,而幾何尺寸(例如利用工藝所創(chuàng)造出的最小構(gòu)件(或?qū)Ь€))持續(xù)減小。此微縮工藝一般提供了增加制造效率及減低相關(guān)聯(lián)的成本的好處。
為了實(shí)現(xiàn)上述優(yōu)點(diǎn),此微縮化也增加制造IC和工藝的復(fù)雜度,制造IC和工藝也需要相應(yīng)的發(fā)展。例如,以金屬柵極取代多晶硅柵極,以減低部件的尺寸改善裝置效能。然而,在制造裝置的期間,形成接觸部件于金屬柵極上面臨了挑戰(zhàn)。例如,因縮小的部件尺寸所引起的接觸部件與金屬柵極之間的高阻抗難以控制。因此,在這領(lǐng)域需要改善。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)一些實(shí)施例,提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含金屬柵極結(jié)構(gòu),金屬柵極結(jié)構(gòu)包含柵極介電層及柵極電極。上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含導(dǎo)電層,其形成于金屬柵極結(jié)構(gòu)的上表面上,部分的導(dǎo)電層中鑲?cè)朐诮饘贃艠O結(jié)構(gòu)的上表面下方。上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含接觸部件,其設(shè)置于金屬柵極結(jié)構(gòu)的上表面上,接觸部件與導(dǎo)電層的上表面直接接觸。
附圖說明
本公開的各種樣態(tài)最好的理解方式為閱讀以下說明書的詳說明并配合附圖說明書附圖。應(yīng)該注意的是,本公開的各種不同特征部件并未依據(jù)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)作業(yè)的尺寸而繪制。事實(shí)上,為使說明書能清楚敘述,各種不同特征部件的尺寸可以任意放大或縮小。
第1A、4A、5、6A、6C、7A、8A、9A、10A、11A、11C、12A、12B、13A及13B圖是根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的部分剖面示意圖。
第1B、4B、6B、7B、8B、9B、10B及11B圖分別是根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例,如第1A、4A、6A、7A、8A、9A、10A及11A(和11C)圖所示的裝置的平面上視圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的裝置的三維透視圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例,制造半導(dǎo)體裝置的方法流程圖。
附圖標(biāo)記列表
100 裝置
102 半導(dǎo)體基底
106 源極/漏極部件
108 通道區(qū)
110 第一層間介電層
120 高介電常數(shù)金屬柵極結(jié)構(gòu)
122 柵極介電層
124 柵極電極
126 導(dǎo)電層
128 柵極間隙物
130 第二層間介電層
132、134 接觸部件
140 覆蓋層
150、152、154 金屬層
170 第一部分
172 第二部分
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