[發(fā)明專利]一種雙氧化孔徑的高功率高速垂直腔面發(fā)射激光器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810986051.4 | 申請日： | 2018-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN109038215A | 公開（公告）日： | 2018-12-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 羅玉輝;陳柱元 | 申請（專利權(quán)）人： | 深亮智能技術(shù)（中山）有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183;H01S5/34 |
| 代理公司： | 廣州市越秀區(qū)海心聯(lián)合專利代理事務(wù)所(普通合伙) 44295 | 代理人： | 王洪娟;冼俊鵬 |
| 地址： | 528400 廣東省中山市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氧化孔徑 氧化層 包層 諧振腔 垂直腔面發(fā)射激光器 多量子阱結(jié)構(gòu)層 反射鏡 高功率 法線 紅色波長區(qū)域 增加輸出功率 波長區(qū)域 依次層疊 保護層 底電極 頂電極 波長 重合 襯底 | ||
1.一種雙氧化孔徑的高功率高速垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，包括依次層疊設(shè)置的頂電極(131)、保護層(132)、P型反射鏡(141)、第一氧化層(143)、第一包層(147)、多量子阱結(jié)構(gòu)層(149)、第二包層(148)、第二氧化層(144)、N型反射鏡(142)、襯底(110)和底電極(133)；所述的第一包層(147)、多量子阱結(jié)構(gòu)層(149)和第二包層(148)組成VCSEL結(jié)構(gòu)(140)；所述的VCSEL結(jié)構(gòu)(140)中部設(shè)有諧振腔(120)，所述的第一氧化層(143)在諧振腔(120)對應(yīng)位置設(shè)有第一氧化孔徑(145)，所述的第二氧化層(144)在諧振腔(120)對應(yīng)位置設(shè)有第二氧化孔徑(146)，所述第一氧化孔徑(145)和第二氧化孔徑(146)法線重合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述雙氧化孔徑的高功率高速垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述的第一氧化孔徑(145)尺寸小于或等于第二氧化孔徑(146)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述雙氧化孔徑的高功率高速垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述的VCSEL結(jié)構(gòu)(140)厚度為3λ/2，所述的λ為發(fā)射光波長。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述雙氧化孔徑的高功率高速垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，第一氧化層(143)和第二氧化層(144)為電絕緣的氧化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述雙氧化孔徑的高功率高速垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述的P型反射鏡(141)和/或N型反射鏡(142)是Ga(1-x)Al(x)As組分的合金且具有多層結(jié)構(gòu)，至少一層是由具有高鋁組分的第一部分，其在氧化時形成氧化物限制孔；第二部分是具有低鋁組分的插入層，第三部分具有適度高的鋁組分；所述的高鋁組分鋁含量為98％適度高鋁組分鋁含量為90％，所述低鋁組分的鋁含量為12％。
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