[發(fā)明專利]等離子體煙氣處理高濃度鹽水中分離SO4 有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810980301.3 | 申請日: | 2018-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN109231252B | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈爍;江中央;孫鐘華;田君國 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇天楹環(huán)保能源成套設(shè)備有限公司 |
| 主分類號: | C01F11/46 | 分類號: | C01F11/46;C01B9/02;C02F9/04;C02F103/18 |
| 代理公司: | 南京鐘山專利代理有限公司 32252 | 代理人: | 戴朝榮 |
| 地址: | 226600 江蘇省南*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 等離子體 煙氣 處理 濃度 鹽水 分離 so base sub | ||
本發(fā)明公開了一種等離子體煙氣處理高濃度鹽水中分離SO42?制CaSO4的方法系統(tǒng),包括納濾工藝系統(tǒng)和CaSO4產(chǎn)出工藝系統(tǒng)。NF工藝系統(tǒng)用于分離二價SO42?和一價鹽離子,分為NF?1和NF?2;CaSO4產(chǎn)出工藝系統(tǒng)用于將NF?1濃水高度濃縮的SO42?脫除,得到純度高的CaSO4,同時將上層清液經(jīng)軟化后回流至進(jìn)水箱。本發(fā)明可以無二次污染的從15%~20%高鹽廢水中分離出SO42?,得到純度高的CaSO4,實(shí)現(xiàn)了SO42?的回收利用,以及工藝系統(tǒng)內(nèi)廢水的近零排放。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及工業(yè)高含鹽廢水處理領(lǐng)域,具體涉及一種等離子體煙氣處理高濃度鹽水中分離SO42-制CaSO4的方法與系統(tǒng)。
背景技術(shù)
工業(yè)高含鹽廢水中的氯鹽和硫酸鹽等都具有實(shí)際存在的利用價值,直接濃縮排放造成資源的浪費(fèi)和環(huán)境污染,因此對高鹽廢水中的鹽類可進(jìn)行回收利用;而高含鹽廢水中經(jīng)常是多種離子共存,很多時候需要分別處理并回收不同的鹽類進(jìn)行利用。目前的技術(shù),比如常規(guī)混絮凝、沉淀、過濾等,能夠很好的去除鹽水中的重金屬、SS等雜質(zhì),得到只含有Na+、K+、Cl-、SO42-的工業(yè)含鹽水。
目前,在我國工業(yè)廢水處理領(lǐng)域,尤其是在飛灰等離子體煙氣酸洗廢水的處理過程中,對于摻雜有高SO42-(8~12g/L)的高含鹽廢水(15%~20%)中SO42-的分離技術(shù)極少涉及。經(jīng)理論分析,在蒸發(fā)分鹽的過程中,高濃度SO42-會導(dǎo)致Na2SO4、NaCl以及K2SO4、KCl的分離允許范圍非常小,往往得到的是氯鹽和硫酸鹽的混鹽,而且隨著濃縮過程的循環(huán),硫酸鹽含量越來越高,分鹽更加困難。
在氯堿行業(yè),對于高SO42-的高含鹽水去除SO42-往往采用投加鋇鹽或者鈣鹽去除,但是這種方法會產(chǎn)生二次污染,存在藥劑毒害風(fēng)險,且藥劑投加量大,運(yùn)行成本高,并且氯堿行業(yè)的SO42-濃度一般≤ 5 g/L即可滿足要求,而這個濃度在工業(yè)廢水處理領(lǐng)域,尤其涉及到工業(yè)的分鹽系統(tǒng)中仍不能滿足要求,如果采用藥劑進(jìn)一步去除需要更大的成本。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述的技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種等離子體煙氣處理高濃度鹽水中分離SO42-制CaSO4的方法與系統(tǒng)。
本發(fā)明的技術(shù)方案為:一種等離子體煙氣處理高濃度鹽水中分離SO42--制得CaSO4的系統(tǒng),包括進(jìn)水箱、提升泵、高壓泵、納濾工藝系統(tǒng)和CaSO4產(chǎn)出工藝系統(tǒng),納濾工藝系統(tǒng)分為NF-1和NF-2, CaSO4產(chǎn)出工藝系統(tǒng)包括硫酸根脫除器與軟化器,進(jìn)水箱的出水端與NF-1的進(jìn)水端連接,進(jìn)水箱與NF-1之間的管道上依次設(shè)置有提升泵與高壓泵,NF-1的產(chǎn)水端與NF-2的進(jìn)水端連接,NF-2的產(chǎn)水端與蒸發(fā)結(jié)晶系統(tǒng)連接,NF-2的濃水端與進(jìn)水箱連接;NF-1的濃水端與硫酸根脫除器的進(jìn)水端連接,硫酸根脫除器的上部與軟化器連接,軟化器與進(jìn)水箱連接。
進(jìn)一步地,NF膜的膜材質(zhì)為改性高分子。
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