[發明專利]一種微電感測量方法和裝置

在審

• 申請號: 201810958471.1
• 申請日: 2018-08-22
• 公開（公告）號: CN108982972A
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發明（設計）人: 雷述宇
• 申請（專利權）人: 西安飛芯電子科技有限公司
• 主分類號: G01R27/26
• 分類號: G01R27/26
• 代理公司: 西安恒泰知識產權代理事務所 61216
• 代理人: 黃小梧

本發明提供了一種微電感測量方法和裝置，包括標定通路和待測通路，標定通路和待測通路的一端相連接形成節點B，所述標定通路或待測通路的另一端通過與開關相連接形成節點A；標定通路中包括導線和由導線串聯的標準電感；待測通路中包括導線和由導線串聯的微電感；還包括電感測量裝置，用于分別測量標定通路和待測通路中的電感值。本發明通過開關控制標定通路和待測通路的切換，以及將標定通路和待測通路的電感值設計為相等，可有效避免干擾，去除測試裝置本身組件和導線所引入的電感，以消除測量誤差，獲得更準確的微電感的電感值。

技術領域

本發明屬于電學測量領域，具體涉及一種微電感測量方法和裝置。

背景技術

在芯片封裝過程中，需要進行芯片進行鍵合工藝，將金屬絲線的兩端 分別焊接于芯片與基板電路或引線框架上，實現與外部電路的連接，被焊 接的金屬線則為鍵合線。鍵合線的線徑很小，通常在20μm到50μm，同 等線長下小線徑會引入較大寄生電感，從而影響了芯片的整體性能。尤其 針對半導體激光芯片，當芯片中存在寄生電感時，會導致大電流信號驅動 的脈沖激光的上升沿時間變長，進而影響了芯片在測距應用中的性能，因 此需要在設計封裝時準確掌握芯片上鍵合線的電感值，以便采取相應措施 消除影響。

由于被測量的電感值極其微小，為nH數量級，現有電感測量設備采用 直接電感測量方法很難達到所需的測量精度。設備在清零后探針稍有振動 便會帶來幾十nH的漂移，即使在靜止不動的狀態下隨著時間推移在幾分鐘 內也會產生幾nH的漂移，這種測量方法給測量結果帶來很大的誤差，因 此，迫切需要開發一種新的技術方案解決該技術缺陷，以便精確獲取微電 感的精確測量值，為芯片封裝以及應用時的電路設計和優化提供依據。

發明內容

針對現有技術存在的不足，本發明的目的在于，提供一種微電感測量 方法及裝置，解決現有技術中無法精確獲取鍵合線上微弱電感值的問題。

為了解決上述技術問題，本發明采用如下技術方案予以實現：

本發明提供了一種微電感測量方法，包括以下步驟：

步驟一，標定獲取系統誤差：

通過開關控制使得基礎通路與標定通路相導通，基礎通路與待測通路相 斷開；所述標定通路中串聯有標準電感，待測通路中串聯有待測電感，并且 標定通路和待測通路中包括電感值相同的連接線；所述基礎通路包括電感測 量裝置，基礎通路通過開關分別與標定通路或待測通路形成一個完整的閉合 回路；

通過基礎通路測量所述標定回路的電感值L₁，標定回路的電感值L₁減去 所述標準電感的標準電感值L₀，得到系統誤差δ；

步驟二，測量待測電感的電感值：

通過開關控制使得基礎通路與待測通路相導通，基礎通路與標定通路相 斷開，通過基礎通路測量所述待測通路的電感值L₂，待測通路的電感值L₂減 去系統誤差δ，得到待測微電感的電感值L。

進一步地，所述的開關通過電子開關控制模塊控制實現自動切換。

進一步地，所述的標定通路為一個以上，所述的待測通路為一個以上。

進一步地，所述的待測通路為兩個以上時，通過開關控制模塊控制開關 先與標定通路導通，測量系統誤差δ，然后通過開關控制模塊控制開關分別 與兩個以上待測通路依次導通。

本發明還提供了一種微電感測量裝置，包括并聯的標定通路和待測通 路，所述標定通路和待測通路的一端相連接形成導通的節點B，所述標定通 路或待測通路的另一端形成斷開的節點A；

所述標定通路包括第一導線和由第一導線串聯的標準電感；所述待測通 路包括第二導線和由第二導線串聯的微電感；