[發明專利]制備阻性氣體電子倍增器薄膜的方法和阻性氣體電子倍增器薄膜

有效

• 申請號: 201810957329.5
• 申請日: 2018-08-21
• 公開（公告）號: CN109148253B
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發明（設計）人: 周意;王旭;尚倫霖;張廣安;魯志斌;劉建北;張志永;呂游;邵明
• 申請（專利權）人: 中國科學技術大學
• 主分類號: H01J47/02
• 分類號: H01J47/02;G01N27/12
• 代理公司: 11021 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 程紓孟

1.一種用于制備阻性氣體電子倍增器薄膜的方法，所述阻性氣體電子倍增器薄膜包含依次層疊的第一類金剛石碳層、聚酰亞胺系薄膜和第二類金剛石碳層并且具有通孔陣列，其特征在于，所述方法包括：

提供基材，所述基材包含依次層疊的第一保護層、第一類金剛石碳層、聚酰亞胺系薄膜、第二類金剛石碳層和第二保護層，其中在所述第一保護層中形成有第一孔陣列并且在所述第二保護層中形成有與所述第一孔陣列相對的第二孔陣列；

通過噴砂處理，在所述第一和第二孔陣列處的第一和第二類金剛石碳層中形成貫穿的孔洞；

通過濕法刻蝕工藝，經過所述孔洞，對所述聚酰亞胺系薄膜進行刻蝕，并在所述聚酰亞胺系薄膜中形成在所述第一和第二孔陣列之間連通的通道；

通過吹掃，去除在所述第一和第二孔陣列處殘余的所述第一和第二類金剛石碳層，從而形成所述通孔；以及

至少移除部分所述第一和第二保護層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一和第二保護層均為銅層，并且至少移除部分所述第一和第二保護層以形成在所述阻性氣體電子倍增器薄膜上的電路。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一和第二保護層的厚度各自獨立地為3.5μm-5.5μm。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供基材包括

在所述聚酰亞胺系薄膜上通過磁控濺射方法形成所述第一和第二類金剛石碳層，以及

分別在所述第一和第二類金剛石碳層上鍍敷所述第一和第二保護層。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，通過磁控濺射方法形成具有不同面電阻率的所述第一和第二類金剛石碳層。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述噴砂處理形成直徑為3μm-8μm的貫穿的孔洞。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的方法制備的阻性氣體電子倍增器薄膜。

8.根據權利要求7所述的阻性氣體電子倍增器薄膜，其特征在于，所述聚酰亞胺系薄膜的厚度為45μm-55μm，所述第一類金剛石碳層和所述第二類金剛石層的厚度各自獨立地為90nm-110nm。

9.一種包括根據權利要求7所述的阻性氣體電子倍增器薄膜的氣體電子倍增器。