[發明專利]一種陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201810955669.4
• 申請日: 2018-08-21
• 公開（公告）號: CN109103205B
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 吳豪旭
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發明涉及顯示技術領域，尤其是涉及一種陣列基板及其制造方法，該陣列基板包括：透明基板；以及位于所述透明基板上的柵極、柵極絕緣層、有源層、源極及漏極；散射膜層，設置于所述透明基板上，所述散射膜層包括第一散射膜層及第二散射膜層，其中，第一散射膜層設置于透明基板與柵極之間，第二散射膜層設置于源極、漏極與有源層之間，通過在該陣列基板上設置散射膜層，并通過干法刻蝕方法將其制備為特定的不規則金屬氧化物形貌結構，能夠加強對可見光源的散射和吸收，從而降低陣列基板上金屬電極的反射率，提供對比度和觀賞視覺效果，節省成本，提升了產品競爭力。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其是涉及一種陣列基板及其制造方法。

背景技術

在液晶顯示面板中，隨著高世代薄膜晶體管液晶顯示器TFT-LCD(thin filmtransistor-liquid crystal display)的發展，顯示面板向大型化、高畫質、高分辨率演變。而隨著尺寸越來越大，金屬布線數量及長度均有大幅度增多。為了增加顯示面板的視覺和外觀效果，目前開發窄邊框、甚至四邊無邊框技術，但此種方法與陣列基板側朝外一樣，可能存在邊緣漏光、對比度降低的缺陷。現有技術以陣列基板側朝外的方案設計并實際產出液晶顯示產品，但陣列基板側朝外時，其金屬柵極(Gate)布線主要材質為Cu/Mo、Mo/Al、Cu/MoTi、Cu/Ti等強反射的金屬，其金屬部分的反射率都很高。一般金屬電極的反射率對于波長為400-700nm的可見光，其平均反射率大于40％，強烈的反光嚴重影響人眼觀賞的效果。

而以低反射金屬膜層作為阻擋層降低反射率或通過貼附低反射膜偏光片來減少金屬反光等方案，會相對增加生產工藝成本。

因此，需要提供一種新的可降低陣列基板上金屬電極的反射率的陣列基板及其制造方法，來解決上述問題。

發明內容

本發明提供一種陣列基板及其制造方法，可降低陣列基板上金屬電極的反射率，能夠解決陣列基板金屬電極的反射率過高的技術問題。

為解決上述問題，本發明提供的技術方案如下：

本發明提供一種陣列基板，所述陣列基板包括：

透明基板，以及位于所述透明基板一側的柵極、柵極絕緣層、有源層、源極及漏極；

散射膜層，設置于所述透明基板上，所述散射膜層包括第一散射膜層及第二散射膜層，所述第一散射膜層設置于所述透明基板與所述柵極之間，所述第二散射膜層設置于所述源極、漏極與所述有源層之間，所述散射膜層表面為特定的不規則形狀的表面形態。

在本發明所述的陣列基板中，所述散射膜層的材料為氧化鉬或其摻雜類金屬氧化物材料。

在本發明所述的陣列基板中，所述散射膜層的厚度為35nm～75nm。

本發明提供一種陣列基板的制造方法，包括：

S10：提供一透明基板；

S20：在所述透明基板上制備第一散射膜層；

S30：在所述第一散射膜層上依次形成柵極、柵極絕緣層、有源層；

S40：在所述柵極絕緣層上制備第二散射膜層；

S50：在所述第二散射膜層上形成源極及漏極。

其中，所述第一散射膜層設置于所述透明基板與所述柵極之間，所述第二散射膜層設置于所述源極、漏極與所述有源層之間，所述第一散射膜層與所述第二散射膜層構成散射膜層，所述散射膜層表面為特定的不規則形狀的表面形態。

根據本發明提供的一種陣列基板的制造方法，所述制備第一散射膜層及制備第二散射膜層的步驟，具體包括：

S201：在所述透明基板及所述柵極絕緣層表面形成一層薄膜；