[發明專利]一種OLED發光器件及其制備方法有效
| 申請號: | 201810945727.5 | 申請日: | 2018-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN109103223B | 公開(公告)日: | 2021-03-02 |
| 發明(設計)人: | 王慶賀;王東方;蘇同上;彭銳;程磊磊;張揚;汪軍;李廣耀;閆梁臣;袁廣才 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 發光 器件 及其 制備 方法 | ||
本發明實施例提供一種OLED發光器件及其制備方法,涉及發光器件技術領域,能夠解決現有的OLED發光器件適用范圍較小的問題。所述OLED發光器件包括基板,設置在基板上的第一源極,以及設置在第一源極上的第一絕緣層;第一源極具有第一側面,第一絕緣層具有與第一源極的第一側面位于同一側的第二側面,第一側面和/或第二側面與所基板的上表面的夾角為銳角;設置在基板上的有源層;有源層覆蓋第一側面和第二側面;設置在有源層上的柵極絕緣層;設置在柵極絕緣層上的陽極;設置在陽極上的發光功能層;設置在發光功能層上的陰極;陰極包括覆蓋第一絕緣層的第一漏極區域;有源層與第一漏極區域接觸。本發明用于OLED發光器件。
技術領域
本發明涉及發光器件技術領域,尤其涉及一種OLED發光器件及其制備方法。
背景技術
隨著物聯網技術的發展以及人們生活水平的提高,人們對于高品質多功能產品的需求越來越多。在顯示照明領域,OLED(Organic Light Emitting Device,有機電致發光器件)技術得到了廣泛應用。
然而,在現有的基于OLED技術的顯示照明產品中,OLED發光器件一般為頂發射結構或底發射結構,只能充當平面光源,這使得OLED器件的適用范圍較小;并且現有的OLED發光器件在陰極電壓和陽極電壓固定的情況下,其發光亮度無法調節,這樣進一步限定了OLED發光器件的適用范圍。
發明內容
本發明的實施例提供一種OLED發光器件及其制備方法,能夠解決現有的OLED發光器件適用范圍較小的問題。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
一方面,本發明實施例提供一種OLED發光器件,包括基板,還包括:設置在所述基板上的第一源極,以及設置在所述第一源極上的第一絕緣層;所述第一源極具有第一側面,所述第一絕緣層具有與所述第一源極的第一側面位于同一側的第二側面,所述第一側面和/或所述第二側面與所述基板的上表面的夾角為銳角;設置在所述基板上的有源層;所述有源層覆蓋所述第一側面和所述第二側面;設置在所述有源層上的柵極絕緣層;設置在所述柵極絕緣層上的陽極;設置在所述陽極上的發光功能層;設置在所述發光功能層上的陰極;所述陰極包括覆蓋所述第一絕緣層的第一漏極區域;所述有源層與所述第一漏極區域接觸。
可選的,還包括:與所述第一源極同層設置的第二源極,以及與所述第一絕緣層同層設置的第二絕緣層;所述第二絕緣層位于所述第二源極的上表面上;所述第二源極具有與所述第一源極的第一側面相對的第三側面,所述第二絕緣層具有與所述第一絕緣層的第二側面相對的第四側面;所述第三側面和/或所述第四側面與所述基板的上表面的夾角為銳角;所述有源層覆蓋所述第三側面和所述第四側面;所述陰極包括覆蓋所述第二絕緣層的第二漏極區域;所述有源層與所述第二漏極區域接觸。
可選的,所述第一側面和所述第二側面均與所述基板的上表面的夾角為銳角;所述第三側面和所述第四側面均與所述基板的上表面的夾角為銳角;并且,所述第一側面和所述第三側面與所述基板的上表面的夾角均為第一夾角;所述第二側面和所述第四側面與所述基板的上表面的夾角均為第二夾角。
可選的,所述第一夾角和所述第二夾角均為10°~20°。
可選的,所述第一夾角和所述第二夾角均為70°~90°。
可選的,所述陽極為透明陽極,所述陰極為反射陰極。
可選的,所述有源層的制作材料為光敏半導體材料。
可選的,所述陽極為反射陽極,所述陰極為透明陰極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





