[發明專利]一種OLED發光器件及其制備方法有效
| 申請號: | 201810945727.5 | 申請日: | 2018-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN109103223B | 公開(公告)日: | 2021-03-02 |
| 發明(設計)人: | 王慶賀;王東方;蘇同上;彭銳;程磊磊;張揚;汪軍;李廣耀;閆梁臣;袁廣才 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 發光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種OLED發光器件,包括基板,其特征在于,還包括:
設置在所述基板上的第一源極,以及設置在所述第一源極上的第一絕緣層;所述第一源極具有第一側面,所述第一絕緣層具有與所述第一源極的第一側面位于同一側的第二側面,所述第一側面和/或所述第二側面與所述基板的上表面的夾角為銳角;
設置在所述基板上的有源層;所述有源層覆蓋所述第一側面和所述第二側面;
設置在所述有源層上的柵極絕緣層;
設置在所述柵極絕緣層上的陽極;
設置在所述陽極上的發光功能層;
設置在所述發光功能層上的陰極;所述陰極包括覆蓋所述第一絕緣層的第一漏極區域;所述有源層與所述第一漏極區域接觸;
所述陽極、所述發光功能層和所述陰極均包括:平行于所述基板的部分、平行于所述第一側面的部分、以及平行于所述第二側面的部分。
2.根據權利要求1所述的OLED發光器件,其特征在于,還包括:
與所述第一源極同層設置的第二源極,以及與所述第一絕緣層同層設置的第二絕緣層;所述第二絕緣層位于所述第二源極的上表面上;所述第二源極具有與所述第一源極的第一側面相對的第三側面,所述第二絕緣層具有與所述第一絕緣層的第二側面相對的第四側面;所述第三側面和/或所述第四側面與所述基板的上表面的夾角為銳角;
所述有源層覆蓋所述第三側面和所述第四側面;
所述陰極包括覆蓋所述第二絕緣層的第二漏極區域;所述有源層與所述第二漏極區域接觸。
3.根據權利要求2所述的OLED發光器件,其特征在于,所述第一側面和所述第二側面均與所述基板的上表面的夾角為銳角;所述第三側面和所述第四側面均與所述基板的上表面的夾角為銳角;
并且,所述第一側面和所述第三側面與所述基板的上表面的夾角均為第一夾角;
所述第二側面和所述第四側面與所述基板的上表面的夾角均為第二夾角。
4.根據權利要求3所述的OLED發光器件,其特征在于,所述第一夾角和所述第二夾角均為10°~20°。
5.根據權利要求3所述的OLED發光器件,其特征在于,所述第一夾角和所述第二夾角均為70°~90°。
6.根據權利要求1所述的OLED發光器件,其特征在于,所述陽極為透明陽極,所述陰極為反射陰極。
7.根據權利要求6所述的OLED發光器件,其特征在于,所述有源層的制作材料為光敏半導體材料。
8.根據權利要求1所述的OLED發光器件,其特征在于,所述陽極為反射陽極,所述陰極為透明陰極。
9.一種OLED發光器件的制備方法,其特征在于,所述OLED發光器件包括基板,所述制備方法包括:
在所述基板上形成第一源極;
在所述第一源極上形成第一絕緣層;所述第一源極具有第一側面,所述第一絕緣層具有與所述第一源極的第一側面位于同一側的第二側面,所述第一側面和/或所述第二側面與所述基板的上表面的夾角為銳角;
在所述基板上形成有源層;所述有源層覆蓋所述第一側面和所述第二側面;
在所述有源層上形成柵極絕緣層;
在所述柵極絕緣層上形成陽極;
在所述陽極上形成發光功能層;
在所述發光功能層上形成陰極;所述陰極包括覆蓋所述第一絕緣層的第一漏極區域;所述有源層與所述第一漏極區域接觸。
10.根據權利要求9所述的OLED發光器件的制備方法,其特征在于,
在形成所述第一源極的同時形成第二源極;所述第二源極具有與所述第一源極的第一側面相對的第三側面;
在形成所述第一絕緣層的同時形成第二絕緣層;所述第二絕緣層位于所述第二源極的上表面上;所述第二絕緣層具有與所述第一絕緣層的第二側面相對的第四側面;所述第三側面和/或所述第四側面與所述基板的上表面的夾角為銳角;所述有源層覆蓋所述第三側面和所述第四側面;所述陰極包括覆蓋所述第二絕緣層的第二漏極區域;所述有源層與所述第二漏極區域接觸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





