[發明專利]太陽能電池封裝結構有效
| 申請號: | 201810943581.0 | 申請日: | 2017-04-02 |
| 公開(公告)號: | CN109087959B | 公開(公告)日: | 2021-08-17 |
| 發明(設計)人: | 韓少茹 | 申請(專利權)人: | 韓少茹 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/054;H01L31/068 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 055550 河北省邢臺市*** | 國省代碼: | 河北;13 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 封裝 結構 | ||
一種太陽能電池封裝結構,包括:光電轉換材料,用于接受太陽光的照射生成載流子;上電極,設置于光電轉換材料上表面;下電極,設置于光電轉換材料下表面;上電極包括位于上端的第一電極組以及位于下端的第二電極組;所述第一電極組與第二電極組對應設置,中間形成間隔;密封材料內部設置多個凸透聚光結構,凸透聚光結構設置于上電極正上方,其YZ豎截面最長邊與光電轉換材料Y軸長度相等;散射結構,其設置于凸透聚光結構與上電極之間,中間設置第二間隔,所述第二間隔寬度設置為凸透聚光結構的聚焦面與該散射結構橫截面重疊部分的寬度。
技術領域
本發明涉及一種封裝結構,尤其是涉及一種太陽能電池的封裝結構。
背景技術
隨著人類不斷開發新能源,太陽能逐漸被人類應用到多個領域當中,太陽能發電是一種新型能源,具有環保、節能、取之不盡用之不竭等特點,太陽能電池組件是太陽能發電系統中的核心部分,也是太陽能發電系統中價值最高的部分,其作用是將太陽能轉化為電能,而太陽能電池組件封裝工藝好壞直接影響太陽能電池的使用壽命。
隨著人類的科技進步全球對于石油、天然氣等自然能源資源的依賴日益加重,而全球能源需求的不斷增長,能源、環境和氣候變暖等問題日益突出。開發和加大可再生的綠色能源的使用已經刻不容緩。太陽能光伏、生物能和風能等綠色能源已經或正在成為傳統能源最好的替代技術。
太陽能光伏技術是基于半導體的光生伏特效應原理,利用太陽能電池將太陽光能直接轉化為電能。其最核心器件為太陽能電池。當太陽光照射到太陽能電池上時, 電池吸收光子能量,產生電子-空穴對。在電池內建電場作用下,光生電子和空穴被分離, 電池兩端出現異號電荷的積累,即產生“光生電壓”,在內建電場的兩側引出電極并接上負載,則負載就有“光生”電流通過,從而獲得功率輸出。
提高太陽能電池的工業轉化效率,是太陽能產業一直不變的追求。太陽能電池的性能是由該電池的光電特性來確定的,而電池性能的損失主要來源于光學損失和電學損失。太陽能電池光學損失主要包括電池前表面反射損失、以及電極阻擋導致的接觸柵線的陰影損失。其中,通過絨面和減反射膜技術可獲得相當低的光反射,減小電池前表面的反射損失。
對于太陽能電池的電極阻擋導致的光學損失,現有技術主要通過將入射到電極的光線折射或者散射到電極以外的區域,從而增加有效光。但是,部分折射或者散射的光線仍可能照射到電極上。為了解決上述問題,在先申請提出了在電極寬度方向設置間隔結構,通過在封裝材料中設置聚焦結構將由照射到電極的光線聚焦到間隔內,避免光線照射電極導致的損失。但是,由于電極的寬度通常都是設置為很窄的結構,在其中間設置間隔對于制作工藝的要求較高。
發明內容
本發明提供了一種改進的太陽能電池封裝結構以及太陽能電池,能夠降低對于制作工藝的要求。
作為本發明的一個方面,提供了一種太陽能電池封裝結構,包括:光入射層,用于太陽光的入射;光電轉換材料,其用于接受太陽光的照射生成載流子;密封材料,其設置于光入射層與光電轉換材料之間;上電極,其設置于光電轉換材料上表面;下電極,其設置于光電轉換材料下表面;其特征在于:所述上電極包括位于上端的第一電極組以及位于下端的第二電極組;所述第一電電極組與第二電極組對應設置,中間形成間隔;密封材料內部設置多個凸透聚光結構,凸透聚光結構設置于上電極正上方,其YZ豎截面最長邊與光電轉換材料Y軸長度相等;設置所述凸透聚光結構距離上電極的高度,使其焦點位于所述間隔內。
優選的,所述密封材料為乙烯-乙酸乙烯脂共聚物(EVA)、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氯乙烯(PVC)、低密度聚乙烯(LDPE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙 烯(PS)、TPU、硅酮、離子交聯聚合物、光固樹脂中的一種或者幾種。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于韓少茹,未經韓少茹許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810943581.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





