[發明專利]一種顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201810943506.4 | 申請日: | 2018-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN109148527B | 公開(公告)日: | 2020-11-27 |
| 發明(設計)人: | 王欣竹;胡友元;李菲;吳新風;李慧慧 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭潤湘 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種顯示面板及顯示裝置,包括:襯底基板,位于襯底基板上的驅動線路層,位于驅動線路層背離襯底基板一側的平坦化層;位于平坦化層背離驅動線路層一側呈現陣列分布的多個陽極,位于各陽極及平坦化層背離驅動線路層一側的發光層,以及位于發光層背離陽極一側的透明陰極層;其中,平坦化層包括:位于各陽極之間的溝槽;溝槽內設置有位于透明陰極層背離發光層一側表面的輔助陰極。在平坦化層上制作溝槽,將輔助陰極設置于溝槽之內,從而可以采用透明導電材料制作透明陰極層,并使得輔助陰極直接形成在溝槽內的透明陰極層之上,使輔助陰極與透明陰極層相接觸。這樣既可以提高陰極的透光率同時又可以降低陰極的總電阻,有利于圖像顯示。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板及顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,簡稱OLED)顯示面板具有寬視角、高對比度、度響應速度、低驅動電壓等優勢,在顯示技術領域被廣泛應用。現有的OLED分為底發射結構和頂發射結構兩種,而底發射結構的OLED由于會被位于底層的線路遮擋,因此開口率受限。頂發射結構的OLED相比于底發射結構的OLED,則具有較大的開口率,因此應用更為廣泛。
然而,頂發射結構的OLED顯示面板需要陰極的透光率越大越好,相應地,就需要將陰極的厚度做得盡可能薄以提高其透光率,這樣會使得陰極具有較高的電阻,不利于圖像顯示。
發明內容
本發明實施例提供了一種顯示面板及顯示裝置,用以提高陰極透光率的同時減小其電阻。
第一方面,本發明實施例提供一種顯示面板,包括:襯底基板,位于襯底基板上的驅動線路層,位于所述驅動線路層背離所述襯底基板一側的平坦化層;位于所述平坦化層背離所述驅動線路層一側呈現陣列分布的多個陽極,位于各所述陽極及所述平坦化層背離所述驅動線路層一側的發光層,以及位于所述發光層背離所述陽極一側的透明陰極層;其中,所述平坦化層包括:位于各所述陽極之間的溝槽;
所述顯示面板還包括:位于所述溝槽內設置于所述透明陰極層背離所述發光層一側表面的輔助陰極。
在一種可能的實現方式中,在本發明實施例提供的上述顯示面板中,所述輔助陰極的材料為不透光性導電膠材料,且不透光性導電膠材料內分散有導電粒子。
在一種可能的實現方式中,在本發明實施例提供的上述顯示面板中,所述導電粒子包括金、銀、銅、鋁、鋅、鐵、鎳及石墨中的一種或多種的組合。
在一種可能的實現方式中,在本發明實施例提供的上述顯示面板中,所述輔助陰極背離所述襯底基板一側的表面與位于所述溝槽以外的所述透明陰極層背離所述襯底基板一側的表面持平;或者,所述輔助陰極背離所述襯底基板一側的表面低于位于所述溝槽以外的所述透明陰極層背離所述襯底基板一側的表面。
在一種可能的實現方式中,在本發明實施例提供的上述顯示面板中,所述顯示面板還包括:位于所述透明陰極層背離所述發光層一側的封裝蓋板,以及位于所述封裝蓋板在面向所述透明陰極層一側表面的彩膜層;
所述彩膜層包括:與所述陽極一一對應的彩色膜塊,以及位于各所述彩色膜塊之間的遮光層。
在一種可能的實現方式中,在本發明實施例提供的上述顯示面板中,所述顯示面板還包括:位于所述透明陰極層背離所述發光層一側表面的封裝層,以及位于所述封裝層背離所述透明陰極層一側表面的彩膜層;
所述彩膜層包括:與所述陽極一一對應的彩色膜塊,以及位于各所述彩色膜塊之間的遮光層。
在一種可能的實現方式中,在本發明實施例提供的上述顯示面板中,所述遮光層在所述襯底基板的正投影位于所述輔助陰極在所述襯底基板的正投影之內;
位于所述溝槽內的所述輔助陰極的寬度大于或等于對應的所述遮光層的寬度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





