[發明專利]一類高度有序的嵌段高分子材料及其制備和應用有效
| 申請號: | 201810943217.4 | 申請日: | 2018-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN110835394B | 公開(公告)日: | 2022-11-08 |
| 發明(設計)人: | 鄧海;李雪苗 | 申請(專利權)人: | 復旦大學 |
| 主分類號: | C08F293/00 | 分類號: | C08F293/00 |
| 代理公司: | 上海一平知識產權代理有限公司 31266 | 代理人: | 陸鳳;徐迅 |
| 地址: | 200433 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一類 高度 有序 高分子材料 及其 制備 應用 | ||
1.一種嵌段共聚物,其特征在于,所述嵌段共聚物包含嵌段A和嵌段B,其中,
所述嵌段A由單體聚合得到;
所述嵌段B由如下單體聚合得到:
其中,R4選自下組:氫、C1-C6烷基;
R5選自下組:取代的C3-C30烷基;所述取代指被5-20個F取代。
2.如權利要求1所述的嵌段共聚物,其特征在于,所述嵌段B由選自下組的單體聚合得到:
3.如權利要求1所述的嵌段共聚物,其特征在于,R5為取代的C4烷基或取代的C8烷基。
4.如權利要求1所述的嵌段共聚物,其特征在于,所述嵌段共聚物具有(A)m-(B)n兩嵌段結構或(B)n1-(A)m-(B)n2三嵌段結構。
5.如權利要求4所述的嵌段共聚物,其特征在于,所述嵌段共聚物具有選自下組的特征:
1)m/n=0.2-5;
2)m/(n1+n2)=0.2-5。
6.如權利要求1所述的嵌段共聚物,其特征在于,所述嵌段共聚物具有選自下組的一個或多個特征:
1)所述嵌段共聚物的多分散性PDI≤2;
2)當嵌段A不是由R1為氫的聚合得到時,所述嵌段共聚物的數均分子量為1000-120000;
3)當嵌段A不是由R1為氫的聚合得到時,所述嵌段共聚物相分離和自組裝所需退火溫度≤100℃;和/或
所述嵌段共聚物相分離和自組裝所需退火時間≤10min;
4)所述嵌段共聚物自組裝所得產物的組裝間距≤30nm。
7.如權利要求1所述的嵌段共聚物,其特征在于,所述嵌段共聚物為
8.一種嵌段高分子材料,其特征在于,所述嵌段高分子材料包含權利要求1所述嵌段共聚物或由權利要求1所述嵌段共聚物制成。
9.一種權利要求1所述嵌段共聚物的用途,其特征在于,用于制備選自下組的物質:DSA導向自組裝材料、納米催化劑、功能化納米電子器件、便攜式精密儲存材料、生物醫用納米器件。
10.一種權利要求1所述的嵌段共聚物的制備方法,其特征在于,所述方法包括如下步驟:
1)提供嵌段A的單體和嵌段B的單體,其中,
所述嵌段A的單體和所述嵌段B的單體如權利要求1中所述;
2)聚合嵌段A的單體得到嵌段A;
3)在嵌段A存在下,聚合嵌段B的單體,得到權利要求1所述的嵌段共聚物。
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