[發明專利]磁阻裝置及其形成方法

有效

• 申請號: 201810936272.0
• 申請日: 2018-08-16
• 公開（公告）號: CN110838541B
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發明（設計）人: 巫建勛;李建輝;蕭智仁;陳永祥
• 申請（專利權）人: 世界先進積體電路股份有限公司
• 主分類號: H10N50/10
• 分類號: H10N50/10;H10N50/01
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 王天堯;任默聞

1.一種磁阻裝置，其特征在于，包括：

一磁阻，設置于一襯底之上；

一保護層，形成于部分的該磁阻之上；以及

一第一導電結構，設置于該保護層之上，該第一導電結構包括：

一下阻擋層的第一部分和設置于該下阻擋層的該第一部分上的一金屬層的一第一部分；以及

一第二導電結構，設置于該襯底之上，并部分覆蓋該磁阻，該第二導電結構包括：

該下阻擋層的一第二部分和設置于該下阻擋層的該第二部分上的該金屬層的一第二部分；以及

一金屬間介電層，設置該襯底之上，其中該磁阻與該第二導電結構設置于該金屬間介電層之上，且該金屬間介電層中的一引線孔與該第二導電結構電連接。

2.如權利要求1所述的磁阻裝置，其特征在于，該保護層的材料包含鈦鎢TiW、鈦Ti或氮化鈦TiN。

3.如權利要求1所述的磁阻裝置，其特征在于，該下阻擋層的材料包含氮化鈦TiN、鈦Ti、氮化鉭TaN或鉭Ta。

4.如權利要求1所述的磁阻裝置，其特征在于，該保護層更設置于該第二導電結構與該磁阻之間。

5.如權利要求1所述的磁阻裝置，其特征在于，該第一導電結構更包括：

一上阻擋層和一抗反射涂層，依序堆迭于該第一導電結構的該金屬層之上。

6.如權利要求1所述的磁阻裝置，其特征在于，該第二導電結構更包括：

一上阻擋層和一抗反射涂層，依序堆迭于該第二導電結構的該金屬層之上。

7.一種磁阻裝置的形成方法，其特征在于，包括：

在一襯底之上依序形成一磁阻材料層和一保護材料層；

對該保護材料層和該磁阻材料層執行一第一圖案化工藝，以分別形成一保護層和一磁阻；

在該襯底上依序形成一第一阻擋材料層和一金屬材料層，以覆蓋該保護層和該磁阻；

對該金屬材料層和該第一阻擋材料層執行一第二圖案化工藝，以分別形成在該保護層之上的一第一導電結構的一金屬層和一下阻擋層，其中在該第二圖案化工藝期間，該保護層保護底下的該磁阻；以及

對該保護層執行一濕法腐蝕工藝，移除該保護層未被該第一導電結構覆蓋的部分。

8.如權利要求7所述的磁阻裝置的形成方法，其特征在于，該第一圖案化工藝包含對該保護材料層與該磁阻材料層一起執行的一干法腐蝕。

9.如權利要求7所述的磁阻裝置的形成方法，其特征在于，該保護材料層包含鈦鎢TiW、鈦Ti或氮化鈦TiN。

10.如權利要求7所述的磁阻裝置的形成方法，其特征在于，該濕法腐蝕工藝使用的腐蝕劑為含過氧化氫H₂O₂的溶液。

11.如權利要求7所述的磁阻裝置的形成方法，其特征在于，該第一阻擋材料層包含氮化鈦TiN、鈦Ti、氮化鉭TaN或鉭Ta。

12.如權利要求7所述的磁阻裝置的形成方法，其特征在于，該金屬材料層包含鋁銅AlCu合金、鋁Al或鋁硅銅AlCuSi合金。

13.如權利要求7所述的磁阻裝置的形成方法，其特征在于，更包括：

在該金屬材料層之上依序形成一第二阻擋材料層和一抗反射涂層；

其中該第二阻擋材料層包含氮化鈦TiN、鈦Ti、氮化鉭TaN或鉭Ta；

其中該抗反射涂層包含氮化硅SiN或氮氧化硅SiON；

其中該第二圖案化工藝更執行于該第二阻擋材料層和該抗反射涂層，以分別形成該第一導電結構的一上阻擋層和一抗反射涂層。