[發明專利]半導體器件和制造方法

有效

• 申請號: 201810933697.6
• 申請日: 2013-08-27
• 公開（公告）號: CN109166837B
• 公開（公告）日: 2023-01-24
• 發明（設計）人: 金東權;金基一
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 弋桂芬;張波

1.一種半導體器件，包括：

下導體，具有下導體側壁表面和與所述下導體側壁表面連接的頂表面，所述頂表面包括邊緣部分和中心部分；

阻擋膜，具有直接設置在所述下導體側壁表面上的阻擋膜側壁；和

通路，設置在所述下導體的所述頂表面上從而覆蓋所述下導體的所述頂表面的所述中心部分和至少一個所述邊緣部分，其中所述中心部分為平坦的，

所述阻擋膜側壁的頂表面設置在比所述下導體的所述頂表面低的水平。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述下導體側壁表面、所述下導體的所述頂表面的所述邊緣部分和所述阻擋膜側壁的所述頂表面在一點處相接，

所述下導體的所述頂表面的所述邊緣部分在向上方向上直接從所述一點突出。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述下導體的在所述一點處在第一方向上的寬度小于或等于所述通路的在所述通路的底部分處在相反的側表面之間在所述第一方向上的寬度。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

第一絕緣膜，圍繞所述下導體和所述阻擋膜的組合，其中凹入區域存在于所述阻擋膜側壁的所述頂表面之上且在所述第一絕緣膜的緊鄰所述阻擋膜側壁的所述頂表面的部分中。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中所述凹入區域具有從所述阻擋膜側壁的所述頂表面向上增加的寬度。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述通路延伸以完全填充所述凹入區域。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

第一上導體，直接設置在所述通路上并且具有與所述通路的各相反側壁表面垂直對準的相反側壁表面。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，還包括：

第二上導體，與所述第一上導體平行地布置，并且與所述第一上導體分離在從10nm到100nm之間的范圍的間距。

9.根據權利要求7所述的半導體器件，其中所述通路是雙鑲嵌通路。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述阻擋膜包括Ti和TiN中的至少一種。

11.一種半導體器件，包括：

金屬層，包括彼此橫向地間隔開的第一下導體和第二下導體，

所述第一下導體具有第一相反的下導體側壁表面和頂表面，

所述第一下導體的所述頂表面具有邊緣部分和中心部分，以及

所述第二下導體具有第二相反的下導體側壁表面和頂表面；

第一阻擋膜，具有分別直接形成在所述第一相反的下導體側壁表面上的第一阻擋膜側壁；

第二阻擋膜，具有分別直接在所述第二相反的下導體側壁表面上的第二阻擋膜側壁；以及

通路，設置在所述第一下導體的所述頂表面上從而覆蓋所述第一下導體的所述頂表面的所述中心部分和至少一個所述邊緣部分，其中所述中心部分是平坦的，

其中所述第一阻擋膜側壁中的至少一個的頂表面和所述第一下導體的所述頂表面的所述邊緣部分設置在比所述第一下導體的所述頂表面的所述中心部分低的水平。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中所述第二阻擋膜側壁的頂表面設置在相同的水平，以及

所述第一阻擋膜側壁的所述至少一個的所述頂表面設置在比所述第二阻擋膜側壁的所述頂表面的每個低的水平，

所述第一下導體的所述頂表面的所述邊緣部分在向上方向上從所述第一阻擋膜側壁的所述至少一個的所述頂表面突出。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，其中所述第二阻擋膜側壁的所述頂表面在與所述第一下導體的所述頂表面的所述中心部分相同的水平。