[發明專利]一種稀土離子摻雜硅酸鎵鋱激光晶體及其制備方法

在審

• 申請號: 201810928717.0
• 申請日: 2018-08-15
• 公開（公告）號: CN108950688A
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發明（設計）人: 羅毅
• 申請（專利權）人: 安徽科瑞思創晶體材料有限責任公司
• 主分類號: C30B29/34
• 分類號: C30B29/34;C30B15/00;C30B33/02;H01S3/16
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• 代理人: 暫無信息

1.一種稀土離子摻雜硅酸鎵鋱激光晶體，其特征在于：其摩爾百分比組成為：Tb₄O₆62～73mol％、Ga₃O₃54～71mol％、SiO₂82～92mol％和Pr 4.5-10mol％、Ce 2.3-10mol％、Sc1.4-10mol％、Er1.9-10mol％、Dy1-10 mol％中的一種或幾種構成的摻雜Tb₃Ga₅SiO₁₄激光晶體。

2.根據權利要求1所述的稀土離子摻雜硅酸鎵鋱激光晶體的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）初始原料：按照摩爾百分比組成為Tb₄O₆62～73mol％、Ga₃O₃54～71mol％、SiO₂82～92mol％和Pr 4.5-10mol％、Ce 2.3-10mol％、Sc1.4-10mol％、Er1.9-10mol％、Dy1-10mol％中的一種或幾種并將它們混合均勻、壓片，然后進行高溫燒結，獲得晶體生長所需的初始原料；

（2）單晶生長：將初始原料裝入晶體生長的坩堝容器中，放入單晶提拉爐內，以高純N和O的混合氣體為保護氣氛下進行單晶提拉，拉速為0.4～3.2 mm／h，轉速為5.5～25r／min；生長時間為6～30天，生長出稀土離子摻雜Tb₃Ga₅SiO₁₄激光晶體的單晶；

（3）晶體退火；當晶體生長結束后，將晶體提升，高出熔體表面4 ～ 7mm，然后緩慢退火至室溫，降溫速率為7 ～ 70℃ /h，即得參雜具有激光性能的硅酸鎵鋱磁光壓電晶體，獲得稀土離子摻雜Tb₃Ga₅SiO₁₄激光晶體。