[發明專利]一種超低損耗理想二極管在審

申請號：	201810920906.3	申請日：	2018-08-14
公開（公告）號：	CN108768358A	公開（公告）日：	2018-11-06
發明（設計）人：	陳石平;陳順清;鄭彩霞;彭進雙	申請（專利權）人：	廣州奧格智能科技有限公司
主分類號：	H03K17/08	分類號：	H03K17/08;H03K17/74
代理公司：	北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350	代理人：	湯東鳳
地址：	510520 廣東省廣州市天河區***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	漏極控制電路組合邏輯源極理想二極管超低損耗電阻接地電連接電阻電路靜態電流損耗二極管技術前級電路柵極連接
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【權利要求書】：

1.一種超低損耗理想二極管，其特征在于：包括組合邏輯控制電路和第一P溝道MOS管，所述組合邏輯控制電路包括第二P溝道MOS管、第三P溝道MOS管、第一電阻和第二電阻，所述第一P溝道MOS管的漏極連接第二P溝道MOS管的源極，所述第一P溝道MOS管的源極電連接所述第三P溝道MOS管的源極，所述第一P溝道MOS管的柵極電連接第三P溝道MOS管的漏極，所述第二P溝道MOS管的柵極連接第二P溝道MOS管的漏極和第三P溝道MOS管的柵極，所述第二P溝道MOS管的漏極通過第一電阻接地，所述第三P溝道MOS管的漏極通過第二電阻接地，當輸入電壓Vin不小于輸出電壓Vout時，PMOS管導通；反之PMOS管截止，防止Vout電流進行倒灌至Vin，保護Vin電源前級電路。

2.如權利要求1所述的一種超低損耗理想二極管，其特征在于：所述組合邏輯控制電路靜態電流損耗為小于微安級，若2個電阻串接100MΩ電阻，靜態電流損耗小于100nA。

3.如權利要求2所述的一種超低損耗理想二極管，其特征在于：所述第一P溝道MOS管可使用不同導通電流大小的P溝道MOS管。

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