[發明專利]芯片器件、電路板及數字貨幣挖礦機

在審

• 申請號: 201810909439.4
• 申請日: 2018-08-10
• 公開（公告）號: CN110828399A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 盧戰勇;劉亭婷;張楠賡
• 申請（專利權）人: 北京嘉楠捷思信息技術有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/473
• 代理公司: 北京市中倫律師事務所 11410
• 代理人: 楊黎峰;鐘錦舜

本公開提出了一種芯片器件，包括：至少一個芯片，所述芯片包括晶粒，所述晶粒的背部是裸露的；以及形成并覆蓋在所述晶粒的裸露背部上的金屬介質層；其中，所述金屬介質層的、背離所述晶粒的背面是不平坦的。通過以上結構，增大了芯片器件的散熱面積，改善了該芯片器件的散熱效率。另外還公開了一種包括該芯片器件的電路板以及數字貨幣挖礦機。

技術領域

本發明涉及芯片散熱技術領域，具體涉及芯片器件、包括該芯片器件的電路板及數字貨幣挖礦機，其中該芯片器件帶有高效散熱結構。

背景技術

隨著芯片技術的不斷發展，芯片的運行速度越來越快，處理能力越來越強，同時芯片在運行時產生的熱量通常也會越多，這就需要采用更加高效的散熱結構對芯片進行散熱，避免芯片在運行時溫度過高而導致芯片運行速度下降甚至芯片損壞。

在現有技術中，例如在中國專利申請公開CN106445037A中公開了一種部分浸沒式液冷服務器冷卻系統，其中將主板、芯片和散熱組片浸沒在密閉腔體內的冷卻液中，冷卻液在泵的驅動下循環流動，從而對主板、芯片和散熱組片進行散熱。但是，該散熱組片是通過導熱硅脂而貼合在芯片表面上，這存在導熱硅脂在使用中受到冷卻液的影響以及隨著時間而粘性降低從而使得散熱組件與芯片接觸不佳或者脫落進而導致散熱不穩定的風險，而且導熱硅脂也會一定程度上不利于熱量從芯片傳遞到散熱組件，使得影響對芯片的散熱。

發明內容

鑒于上述問題，提出了一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的芯片器件、電路板及數字貨幣挖礦機，用于解決現有技術中存在的芯片散熱不夠穩定和高效的缺陷。

依據本發明的第一方面，提供了一種芯片器件，包括：

至少一個芯片，所述芯片包括晶粒，所述晶粒的背部是裸露的；以及

形成并覆蓋在所述晶粒的裸露背部上的金屬介質層；

其中，所述金屬介質層的、背離所述晶粒的背面是不平坦的。

上述晶粒的背部是指當芯片安裝在電路板上時，晶粒的、背向電路板的那一表面，即，與晶粒的面向電路板的表面相對的表面。背部裸露的晶粒的封裝形式可以為ExposedDie形式，但是又不限于該封裝形式，例如也可以是Bare Die、FCBGA(Flip Chip Ball GridArray，覆晶式球柵陣列封裝結構)、FCCSP(Flip Chip Chip Scale Package，倒裝芯片芯片級封裝)、WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package，晶圓級芯片級封裝)、InFO(Integrated Fan-Out，集成扇出型晶圓級封裝結構)/FOWLP(Fan Out Wafer LevelPackage，扇出型晶圓級封裝結構)/FOPLP(Fan-Out Panel Level Package，扇出型面板級封裝結構)、LGA(Land Grid Array，柵格陣列封裝)等其它封裝形式，只要晶粒背部裸露未被封裝即可用于本發明的技術方案中，甚至晶粒的背面及四周均未封裝時亦可適用于本發明的技術方案，或者在對晶粒封裝之后再對該封裝進行處理以使晶粒背部裸露出來的情形也適用于本發明的技術方案，本發明不限于此。

金屬介質層背面可以設有任何形式和數量的不平坦形狀，例如可以包括各種形狀的凸起，只要能夠增大與冷卻液的接觸面積并且空間上允許即可。

優選地，在所述芯片器件中，金屬介質層通過晶背金屬化過程(BackSideMetallization process)形成在晶粒的背部上。

優選地，在所述芯片器件中，金屬介質層的背面上包括至少一個選自如下的凸起：錐形凸起、截錐形凸起、山丘狀凸起、半球狀凸起、波浪狀凸起、柱狀凸起和/或片狀凸起。

優選地，在所述芯片器件中，所述至少一個凸起具有相同或不同的高度。