[發明專利]一種氮化物半導體垂直腔面發射激光器在審
| 申請號： | 201810909141.3 | 申請日： | 2018-08-10 |
| 公開（公告）號： | CN108923255A | 公開（公告）日： | 2018-11-30 |
| 發明（設計）人： | 張保平;任伯聰;陳衍暉;應磊瑩;鄭志威 | 申請（專利權）人： | 廈門大學 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183;H01S5/187;C23C16/40;C23C14/08 |
| 代理公司： | 廈門南強之路專利事務所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 馬應森 |
| 地址： | 361005 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電流限制層 外延層 垂直腔面發射激光器 分布布拉格反射鏡 氮化物半導體 氧化鋁材料 電極 下電極 熱效應 透明電流擴展層 半導體激光器 垂直結構 垂直內腔 化學鍍膜 接觸結構 物理鍍膜 支撐基板 激光器 混合物 氮化鋁 氮化銦 氮化鎵 熱傳導 散熱性 氧化鋁 制備 阻礙 制作 | ||
【權利要求書】：
1.一種氮化物半導體垂直腔面發射激光器，其特征在于采用垂直內腔接觸結構，從下到上依次設有支撐基板、下分布布拉格反射鏡、下電極、透明電流擴展層、電流限制層、外延層、上電極和上分布布拉格反射鏡。
2.如權利要求1所述一種氮化物半導體垂直腔面發射激光器，其特征在于所述電流限制層使用氧化鋁材料，氧化鋁材料的分子式為Al2O3，有多種不同晶體結構；其散熱系數為33W/K·m。
3.如權利要求1所述一種氮化物半導體垂直腔面發射激光器，其特征在于所述外延層為氮化鎵、氮化銦、氮化鋁組成的混合物外延層。
4.如權利要求1所述一種氮化物半導體垂直腔面發射激光器，其特征在于所述上電極和下電極采用Ni/Au、Cr/Au或Ti/Au。
5.如權利要求2所述一種氮化物半導體垂直腔面發射激光器，其特征在于所述氧化鋁Al2O3的制備方法為物理鍍膜或化學鍍膜；所述物理鍍膜為磁控濺射、電子束蒸發；所述化學鍍膜為原子層沉積、化學氣相沉積。
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