[發明專利]光譜儀及其制作方法

有效

• 申請號: 201810897371.2
• 申請日: 2018-08-08
• 公開（公告）號: CN110823845B
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 孟憲芹;董學;王維;譚紀風;孟憲東;陳小川;高健;梁蓬霞;王方舟
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G01N21/64
• 分類號: G01N21/64;G01N21/01
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云;王小會

1.一種光譜儀，包括：

第一襯底基板；

第二襯底基板，與所述第一襯底基板相對設置；

檢測通道，位于所述第一襯底基板和所述第二襯底基板之間；

量子點發光層，位于所述第一襯底基板的靠近所述第二襯底基板的一側，包括多個量子點發光單元；

黑矩陣，位于所述第一襯底基板的靠近所述第二襯底基板的一側，被配置為分隔所述多個量子點發光單元；以及

傳感器層，包括多個傳感器，所述多個傳感器與所述多個量子點發光單元一一對應，

其中，所述黑矩陣被配置為形成多個容納空間，所述多個容納空間中的每個被配置為容納所述多個量子點發光單元中的一個，在垂直于所述第一襯底基板的方向上，所述黑矩陣的尺寸大于或等于所述量子點發光層的尺寸。

2.根據權利要求1所述的光譜儀，還包括位于所述量子點發光層的遠離所述第一襯底基板的一側的保護層，其中，所述保護層被配置為保護所述量子點發光層。

3.根據權利要求2所述的光譜儀，其中，在垂直于所述第一襯底基板的方向上，所述保護層和所述量子點發光層的尺寸之和大于或等于所述黑矩陣的尺寸。

4.根據權利要求1-3任一項所述的光譜儀，其中，所述量子點發光層采用不同種類的量子點、不同尺寸的量子點至少之一形成。

5.根據權利要求1-3任一項所述的光譜儀，其中，所述傳感器層位于所述檢測通道的遠離所述量子點發光層的一側，所述傳感器層在所述第一襯底基板上的正投影落入所述量子點發光層在所述第一襯底基板上的正投影內。

6.根據權利要求1-3任一項所述的光譜儀，其中，所述傳感器層位于所述檢測通道的靠近所述量子點發光層的一側，所述傳感器層在所述第一襯底基板上的正投影落入所述黑矩陣在所述第一襯底基板上的正投影內。

7.根據權利要求1-3任一項所述的光譜儀，還包括光源部，其中，所述光源部被配置為提供照射到所述量子點發光層以激發所述量子點發光層發光的激發光。

8.根據權利要求7所述的光譜儀，其中，所述光源部位于所述第一襯底基板的遠離所述第二襯底基板的一側，包括直下式背光源或側入式背光源，在所述直下式背光源的靠近所述第一襯底基板的一側設有反射層，或者，在所述側入式背光源的遠離所述第一襯底基板的一側設有反射層。

9.根據權利要求7所述的光譜儀，其中，所述光源部包括位于所述第一襯底基板的側面的光源，所述第一襯底基板為玻璃基板并構成光波導，所述第一襯底基板還包括與所述多個量子點發光單元一一對應的多個出光結構，所述多個出光結構位于所述第一襯底基板的靠近所述第二襯底基板的一側。

10.根據權利要求9所述的光譜儀，其中，所述出光結構包括盲孔。

11.根據權利要求1-3任一項所述的光譜儀，還包括位于所述量子點發光單元的遠離所述第二襯底基板的一側的第一電極和位于所述量子點發光單元的靠近所述第二襯底基板的一側的第二電極，所述第一電極和所述第二電極被配置為被施加不同的電壓以激發所述量子點發光單元發光。

12.根據權利要求11所述的光譜儀，其中，所述黑矩陣位于所述第一電極和所述第二電極之間。

13.根據權利要求12所述的光譜儀，其中，所述第二電極包括位于所述容納空間內的部分。