[發(fā)明專利]具有半橋電路和電壓鉗位元件的電子電路

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• 申請日: 2018-08-07
• 公開（公告）號: CN109391130A
• 公開（公告）日: 2019-02-26
• 發(fā)明（設計）人: 揚·富爾曼;托馬斯·貝斯勒;漢斯-京特·埃克爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08;H02M7/219;H02M7/5387
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 康建峰;韓雪梅

1.一種具有至少一個開關電路的電子電路，

其中，所述至少一個開關電路包括電壓鉗位元件、以及具有高側開關和低側開關的半橋，

其中所述高側開關和所述低側開關分別包括控制節(jié)點和負載路徑，

其中，所述高側開關和所述低側開關的負載路徑串聯連接，并且

其中，所述電壓鉗位元件與所述半橋并聯連接，使得連接所述高側開關和所述低側開關以及將所述電壓鉗位元件與所述半橋連接的第一導體的第一總電感小于20nH。

2.根據權利要求1所述的電子電路，其中所述第一總電感小于10nH或小于5nH。

3.根據權利要求1或2所述的電子電路，還包括：

與所述電壓鉗位元件并聯連接的輸入電容器。

4.根據權利要求3所述的電子電路，其中，所述輸入電容器與所述電壓鉗位元件并聯連接，使得將所述輸入電容器與所述電壓鉗位元件連接的第二導體的第二總電感大于所述第一總電感。

5.根據權利要求4所述的電子電路，其中，所述第二總電感與所述第一總電感之比大于5，大于10或大于20。

6.根據前述權利要求中的任一項所述的電子電路，其中，所述高側開關和所述低側開關中的至少一個包括選自組中的至少一個開關元件，所述組包括：

IGBT；

MOSFET；

JFET；以及

HEMT。

7.根據前述權利要求中的任一項所述的電子電路，其中，所述第一導體包括選自組中的至少一個導電元件，所述組包括：

接合線；

半導體芯片上的接觸焊盤；

印刷電路板上的跡線；

扁平導體；和

絕緣基板上的金屬化部。

8.根據前述權利要求中的任一項所述的電子電路，還包括：

與所述電壓鉗位元件串聯連接的整流器元件。

9.根據權利要求8所述的電子電路，

其中，所述電壓鉗位元件包括二極管并且所述整流器元件包括二極管，以及

其中，所述電壓鉗位元件的二極管和所述整流器元件的二極管以背對背配置的方式連接。

10.根據前述權利要求中的任一項所述的電子電路，其中所述電壓鉗位元件包括MPS二極管。

11.根據權利要求10所述的電子電路，其中，所述MPS二極管是SiC MPS二極管、Si MPS二極管和GaN MPS二極管之一。

12.根據前述權利要求中的任一項所述的電子電路，其中，所述至少一個開關電路包括兩個或更多個開關電路。

13.根據前述權利要求中的一項所述的電子電路，還包括：

與所述高側開關并聯連接的第一續(xù)流元件、以及與所述低側開關并聯連接的第二續(xù)流元件。

14.根據前述權利要求中的任一項所述的電子電路，其中，所述至少一個開關電路集成在一個模塊中。

15.根據權利要求14所述的電子電路，

其中，所述半橋的高側開關包括至少一個第一半導體芯片，所述半橋的低側開關包括至少一個第二半導體芯片，所述電壓鉗位元件包括至少一個第三半導體芯片，

其中，所述模塊包括基板，以及

其中，所述至少一個第一半導體芯片、所述至少一個第二半導體芯片和所述至少一個第三半導體芯片被安裝到所述基板上。

16.根據權利要求15的電子電路，

其中，所述基板包括第一金屬化部和與所述第一金屬化部分離的第二金屬化部，

其中，所述至少一個第一半導體芯片和所述至少一個第三半導體芯片被安裝到所述基板上包括將所述至少一個第一半導體芯片和所述至少一個第三半導體芯片安裝到所述第一金屬化部，以及

其中，所述至少一個第二半導體芯片被安裝到所述基板上包括將所述至少一個第二半導體芯片安裝到所述第二金屬化部。